半导体设备工艺简介.ppt

中科院半导体所照明研发中心工艺设备简介半导体照明研发中心简介设备名录设备简介：
厂商：美国ABM公司，
型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M型技术指标：
1.365nm(波长)输出光强---约18-20mW/cm2;
2.400nm(波长)输出光强---约35-40mW/cm2;
3.曝光有效范围:4英寸直径;
4.曝光精度：
硬接触模式<1微米,软接触<1.5微米;
接近式（20um）<2微米,接近式（50um）<3微米

工艺特点：
1.卓越的曝光面内均一性:
2.误差小于±1%于2英寸曝光范围内;
3.误差小于±2%于4英寸曝光范围内;
4.具备高性能消除衍射涂层光学系统;
5.双通道光强度控制系统;
6.实时动态显示（通过CCD直接在显示器上显示）
方孔边长4.62um2.微波式打胶机技术指标：
1.等离子体室：石英，直径245mm，深380mm;2.等离子体发生器：微波频率2.45GHz，最大1.000瓦，可变功率

工艺特点：
1.微波等离子体廉价、易于使用、高度活性、高效，且不会对电子装置产生
损害，该系统配备洁净的石英晶体处理室;
2.可以进行普通光刻胶灰化、SU8灰化;
3.适合于光刻胶显影底膜的去除。
3.化学清洗工作台技术指标：
1.共18个工作槽位，配备氮气及纯水清洗系统;
2.可进行常规有机、无机清洁处理；ITO薄膜湿法蚀刻；去蜡清洗；lift-off工艺；
湿法腐蚀氧化硅等工艺。

工艺特点：
1.小批量多片处理、水浴加热清洗、超声清洗；
2.DI水冲洗为喷淋，溢注两种模式自由组合;
3.半自动机械手臂进行上下往复晃动，反应更均匀
4、感应耦合等离子刻蚀机ICP4、感应耦合等离子刻蚀机ICP5.等离子体增强化学气相沉积PECVD5.等离子体增强化学气相沉积PECVD6.光学镀膜系统6.光学镀膜系统7.电子束蒸发台（金属）7.电子束蒸发台（金属）8.电子束蒸发台（ITO）8.电子束蒸发台（ITO）9.电镀台9.电镀台10.快速合金炉10.快速合金炉11.石墨烯生长系统11.石墨烯生长系统12.台阶仪12.台阶仪13.激光晶圆划片设备13.激光晶圆划片设备14.裂片机14.裂片机15.激光剥离机15.激光剥离机16.键合机16.键合机17.水平减薄机17.水平减薄机18.单面研磨机18.单面研磨机19.LED全光功率测试系统19.LED全光功率测试系统20.LED自动分选机20.LED自动分选机联系合作方式谢谢！