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半导体简介内容第一章揭秘半导体砷化镓晶圆片1.2半导体中的载流子1.3半导体的秘密1.4半导体的特性及分类负温度系数热敏电阻按照构成半导体物质的元素来分类：
半导体可分为元素半导体（由一种元素构成）和化合物半导体（由多种元素构成）。元素半导体有Si和Ge等第IV主族元素半导体，化合物半导体中通常的有GaAs、InP、GaN、SiC等半导体。
按照原子结构的排列规则分类：可分为单晶半导体、多晶半导体及非晶态半导体。
按照掺杂类型分类：半导体可分为本征半导体、P型半导体、N型半导体。当在本征半导体中掺入少量的第III主族原子或第V主族原子，使之取代晶格中原子的位置，便形成P型半导体或N型半导体。SiN第二章丰富多彩的半导体材料2.2第二代半导体材料
砷化镓（GaAs）半导体材料，与传统的硅材料相比，具有很高的电子迁移率，及宽禁带材料，能更快地传导电流。由于它具有直接带隙及宽禁带等结构，它的光发射效率比硅锗等半导体材料高。广泛应用于光通信、卫星通讯等领域。

磷化铟（InP）半导体材料，具有宽禁带结构，能够使通信卫星在太空具有极高速率传输数据的能力，具有电子极限漂移速度极高，耐辐射性能好，导热好的优点。与GaAs相比，它具有击穿电场、热导率、电子平均速度均高的特点。目前光通信器件主要采用磷化铟基材料，数码率很高、波长单色性好的磷化铟激光器和调制器、探测器极其模块已广泛应用于光网络，从而推动互联网数据信息传输量的高速发展，不断满足网络向更高速度和更宽带宽方向发展的要求。

2.3第三代半导体材料
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。
和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常宽称为禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2eV），也称为高温半导体材料。
GaN晶圆片2.4有机半导体材料
利用有机发光材料制造的显示器，不仅变得既软又薄，还可以随意折叠、卷曲和放置，给人们的生活带来极大方便，且与当今时尚的液晶显示器（LCD）相比，它具有亮度高、节能、无视角问题、制造成本低等诸多优点。从发光机理上说，由于液晶自身不能发光，需要利用背光，而有机发光二级管（OLED）自身可以发光，这就注定它要比液晶显示器节省能源。与LED相比，OLED具有很多优势。例如，有机发光材料不需要制备成晶体，其生产和制造相对简单。它们可以制成极薄的单层，不同材料可以产生不同的颜色，只要把他们组合到基板上。就可以获得完美画质。
也许在不久的将来，大型彩电、电脑显示器都可以卷起来塞在房间的某个角落。在军事应用上，当军用地图打开后，不再是一张静态的图纸，而是活生生的战场实况。可弯曲的OLED
2.5陶瓷半导体材料

它是一种重要的电子功能陶瓷材料，简称“半导瓷”。是由一种或多种金属氧化物采用陶瓷制备工艺制成的多晶材料。这种多晶材料往往对外界环境的变化（如温度、电压等）非常敏感。第三章精彩纷呈的半导体器件半导体温敏器件3.2半导体光电子器件
它是指光子起着重要作用的半导体器件。可分为两大类：
一类是利用半导体内光电效应将光能转换成电能的半导体光电器件。
一类是将电能转换成光能的半导体电致发光器件。

其用途大致分为：
1.换能器件：如太阳能电池，用作光伏电源；
2.探测器件：如光敏电阻、光敏二级管、光电探测器等；
3.控制器件：如光敏晶体管、光敏场效应管等；
4.摄像器件：如CCD摄像器件等。3.3微波半导体器件
由Ge、Si、III-V化合物半导体等材料制作成的工作微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。微波即波长介于1m--1nm之间的电磁波，相应频率在300MHz--300GHz之间。
利用微波器件可以设计微波振荡器，功率放大器，混频器，检波器、微波传输线等，然后将它们组合成各种有特定功能的微波电路，例如发射机、接收机、显示器等，用于雷达、电子战系统和微波通信系统等电子装备。
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