半导体物理学(第七版).ppt
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半导体物理学任课老师:刘城芳办公地点:教五-101电子邮箱:iamcfliu@njupt.edu.cn半导体物理学课程考核办法:本课程采用闭卷考试方式。总评成绩由平时成绩和期末成绩组成。平时成绩占总评的30%,期末成绩占总评的70%。平时成绩从作业、上课出勤率等方面进行考核。半导体物理课程是电子科学与技术学科的核心专业基础课程。半导体物理知识是一把开启电子材料与器件、光电子材料与器件的钥匙。半导体物理课程也是一门有趣的课程,它可以像魔术师般把电、热、声、光、磁、力等物理现象有机联系在一起。半导体的发展史半
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半导体物理学(第七版)完整答案半导体物理学(第七版)完整答案半导体物理学(第七版)完整答案第一章习题1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:(K)=(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1)2.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解:根据:得补充题1分别计算Si(100),(110),(1
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半导体物理学(第七版)完整答案半导体物理学(第七版)完整答案半导体物理学(第七版)完整答案第一章习题1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:(K)=(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1)2.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解:根据:得补充题1分别计算Si(100),(110),(1
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第一章习题1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:(K)=(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1)2.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解:根据:得补充题1分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si
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第一章习题1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:(K)=(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1)2.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解:根据:得补充题1分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si