半导体材料发展资料.ppt

3.1.1半导体材料的发展微波半导体材料按组成分：讨论3.1.1.1无机半导体晶体材料Ge化合物
半导体★过渡金属氧化物半导体：有ZnO、SnO2、V2O5、Cr2O3、Mn2O3、FeO、CoO、NiO等。

★尖晶石型化合物（磁性半导体）：主要有CdCr2S4、CdCr2Se4、HgCr2S4等。

★稀土氧、硫、硒、碲化合物：有EuO、EuS、EuSe、EuTe等。(铕)(1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素半
导体

(2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、
Se2As3、As2SeTe非晶半导体有机半导体3.1.2半导体材料的地位半导体的发展
1874年F.Braun
金属－半导体接触
第一个点接触式的晶体管(transistor)1955年德国西门子
氢还原三氯硅烷法
制得高纯硅1963年
用液相外延法（LPE）生长
长砷化镓外延层，
半导体激光器分子束外延MBE
(MolecularBeamEpitaxy)几种主要半导体的发展现状与趋势Si单晶●GaAs和InP单晶●研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。讨论：Si与III-V族化合物半导体的区别●半导体超晶格、量子阱(SemiconductorSuperlattice,QuantumWells)延伸阅读延伸阅读：量子阱目前硅基材料研究的主流：
GeSi/Si应变层超晶格材料新一代移动通信。应变超晶格●一维量子线、零维量子点1994年，俄德联合小组首先研制成功
InAs/GaAs量子点材料，
1996年，量子点激光器室温连续输出功率达
1W，阈值电流密度为290A/cm2，
1998年，量子点激光器室温连续输出功率达
1.5W。2000年初，中科院半导体所研制成功室温
双面CW输出3.62W、工作波
长为960nm左右的量子点激
光器，为目前国际报道的最好
结果之一。1998年，Yauo等人采用0.25mm工艺技术
实现了128Mb的单电子存储器原
型样机的制造，这是单电子器件
在高密度存储电路的应用方面迈
出的关键一步。●宽带隙半导体材料●高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子
器件和电路的理想材料
●通信、汽车、航空、航天、石油开采及国防Ｃｒｅｅ公司6Ｈ-、4Ｈ-ＳｉＣ单晶尺寸随年度的变化