触控面板及其像素阵列.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102314248A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102314248A(43)申请公布日2012.01.11(21)申请号201010220734.2(22)申请日2010.06.29(71)申请人瀚宇彩晶股份有限公司地址中国台湾台北县(72)发明人阮一中林松君游家华(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人陈松涛韩宏(51)Int.Cl.G06F3/041(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称触控面板及其像素阵列(57)摘要一种像素阵列，包括多个像素、多条数据线、多条读取线及多条栅极线；其中，每两相邻像素间轮流配置数据线及读取线；每一数据线两侧的两相邻像素耦接同一条数据线但耦接不同栅极线；至少一部分该读取线耦接其两侧的两相邻像素其中之一。本发明还提供一种包括上述像素阵列的触控面板。CN102348ACCNN110231424802314252A权利要求书1/2页1.一种触控面板的像素阵列，包括：第一像素、第二像素、第三像素及第四像素，沿水平方向依次配置；第一数据线，延伸于垂直方向设置于所述第一像素及所述第二像素间并耦接所述第一像素及所述第二像素；第二数据线，延伸于所述垂直方向设置于所述第三像素及所述第四像素间并耦接所述第三像素及所述第四像素；读取线，延伸于所述垂直方向设置于所述第二像素及所述第三像素间并耦接所述第二像素或第三像素，其中所述第二像素与所述第三像素间并无设置任何数据线；第一栅极线，耦接所述第一像素及所述第三像素；以及第二栅极线，耦接所述第二像素及所述第四像素。2.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述读取线所耦接的像素还包括感测单元，耦接所述读取线以输出触控信号。3.根据权利要求2所述的像素阵列，其中所述读取线与第一数据线及第二数据线间的间距大于像素电极宽度及等于像素宽度。4.根据权利要求2所述的像素阵列，其中所述感测单元包括读取晶体管与触控传感器，所述读取晶体管耦接于所述读取线及对应的栅极线，以及所述触控传感器耦接所述读取晶体管。5.根据权利要求2所述的像素阵列，其中每一像素还包括像素晶体管，分别耦接对应的栅极线，且在与所述读取线相耦接的像素内，所述像素晶体管与所述感测单元分别耦接不同栅极线。6.根据权利要求1所述的像素阵列，其中当所述第二像素及所述第三像素其中之一为蓝色子像素时，所述读取线耦接所述蓝色子像素；当所述第二像素及所述第三像素其中之一为绿色子像素时，所述读取线不耦接所述绿色子像素。7.一种触控面板的像素阵列，包括：多个像素，以阵列配置；多条数据线，沿水平方向配置；多条读取线，平行这些数据线；以及多条栅极线，垂直这些数据线；其中，沿所述水平方向的每两相邻像素间轮流配置数据线及读取线；每一数据线两侧的两相邻像素耦接同一条数据线但耦接不同栅极线；至少一部分读取线耦接所述读取线两侧的两相邻像素其中之一。8.根据权利要求7所述的像素阵列，其中配置于所述读取线两侧并耦接所述读取线的像素还包括感测单元，耦接所述读取线以输出触控信号。9.根据权利要求8所述的像素阵列，其中所述感测单元用以感测电压变化、电流变化、光强度变化或声波强度变化。10.根据权利要求8所述的像素阵列，其中所述感测单元包括读取晶体管与触控传感器，所述读取晶体管耦接于所述读取线及对应的栅极线，以及所述触控传感器耦接所述读取晶体管。11.根据权利要求8所述的像素阵列，其中每一像素还包括像素晶体管，分别耦接对应2CCNN110231424802314252A权利要求书2/2页的栅极线，且在与所述读取线相耦接的像素内，所述像素晶体管与所述感测单元分别耦接不同的栅极线。12.根据权利要求7所述的像素阵列，其中当配置于所述读取线两侧的两相邻像素其中之一为蓝色子像素时，所述读取线耦接所述蓝色子像素；当配置于所述读取线两侧的两相邻像素其中之一为绿色子像素时，所述读取线不耦接所述绿色子像素。13.根据权利要求7所述的像素阵列，其中所有所述读取线耦接所述读取线两侧的两相邻像素其中之一。14.一种触控面板，包括：多个像素，以阵列配置，沿水平方向以每两像素为一个像素组；多条栅极线，每一像素均耦接一条栅极线；栅极驱动器，耦接这些栅极线；多条数据线，分别设置于所述像素组的两像素间，其中，每一像素组的两像素耦接同一条数据线但耦接不同栅极线；以及多条读取线，设置于至少一部分两相邻像素组间且至少一部分读取线耦接与其相邻的两像素其中之一。15.根据权利要求14所述的触控面板，其中这些读取线分别设置于所有两相邻像素组间。3CCNN110231424802314252A说明书1/6页触控面板及其像素阵列技术领域[0001]本发明涉及一种触控装置，特别是涉及一种内嵌式触控面板及其像素阵列