ZnO纳米线棒阵列结构制备原理及方法概述.docx
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ZnO纳米线棒阵列结构制备原理及方法概述.docx
ZnO纳米线棒阵列结构制备原理及方法概述ZnO纳米线棒阵列结构制备原理及方法概述摘要:ZnO纳米线棒阵列结构在能源、传感器、光电子等领域具有广泛的应用潜力。本论文主要阐述了ZnO纳米线棒阵列结构的制备原理及方法,包括溶液法、气相法、电化学法和模板法等。通过对各种方法的分析比较,总结出了各自的优缺点,并展望了未来制备技术的发展趋势。关键词:ZnO纳米线棒阵列结构制备方法1.引言随着纳米科技的快速发展,ZnO纳米材料因其独特的物理和化学性质而受到广泛关注。其中,ZnO纳米线棒阵列结构由于其高比表面积、良好的光
一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法.pdf
本发明涉及一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法,属于纳米线制备方法领域。该方法的工艺步骤如下:(1)制备前驱溶液:向反应容器中加入去离子水,然后加入锌盐和聚乙烯亚胺,在室温、常压下搅拌0.5~3h,得前驱溶液;(2)超过滤:对前驱溶液进行超过滤;(3)旋涂:将步骤(2)截留所得溶液滴加到基底上,然后以500~3000rpm的转速涂胶;(4)热处理:①将涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃保温30~120min,保温时间届满后,将基底自然冷却至室温,②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1
ZnO纳米线阵列的制备及其光电性能研究.docx
ZnO纳米线阵列的制备及其光电性能研究摘要本文通过溶胶-凝胶法制备了ZnO纳米线阵列,并研究了其光电性能。实验结果表明,通过调整制备条件可以有效地控制ZnO纳米线阵列的形貌和尺寸。在光电性能方面,ZnO纳米线阵列的光吸收能力和光电转换效率很高,这使其成为光电器件制备的理想材料之一。引言纳米材料已成为当今材料科学领域的热点研究方向,它们具有许多普通材料所没有的性能和应用价值。其中,ZnO作为一种重要的半导体材料,在能量传输、光电转换等领域都有很广泛的应用。纳米线阵列是一种非常有前景的ZnO纳米结构,它具有大
基于ZnO纳米线阵列的三维MIS结构及其制备方法及β核电池.pdf
本发明公开了基于ZnO纳米线阵列的三维MIS结构及其制备方法及β核电池,制备方法包括以下步骤:S1、水热生长ZnO纳米线阵列:采用由硝酸锌和六亚甲基四胺组成的生长溶液,通过水热反应在目标基底上形成ZnO纳米线阵列;S2、采用ALD法在步骤S1制备的ZnO纳米线阵列表面沉积绝缘层;S3、采用ALD法在步骤S2制备的绝缘层表面沉积辐射源层。通过本发明所述制备方法制备的三维MIS结构不仅能够提高辐射源与换能器件的接触面积,进而提高辐射源的利用率,且辐射源可作为肖特基结的金属材料,从而简化了电池结构。
ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法.pdf
ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法,涉及一种ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法。是要解决现有特殊形貌结构的纳米材料的开启电场和阈值电场较高,导致场发射性能不理想的问题。方法:一、对单晶硅片进行清洗,然后在单晶硅片上溅射纳米金膜,作为硅衬底;二、将氧化锌粉末和硫化锌粉末混合作为源材料,锗粉作为催化剂,将源材料置于耐高温容器,并置于高温反应炉,将催化剂与硅衬底置于源材料下游;三、将高温反应炉密封,抽真空,通入惰性气体,加热,恒温,自然冷却至室温,停止通入惰性气体,取出硅衬底,获得黄白色粉末,即