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适于SAW器件“AlN硅”“AlN金刚石”多层膜制备及结构性能研究
摘要：
铝氮化物（AlN）SAW器件的制备及其性能研究已经受到广泛关注。本文讨论了通过硅（Si）和金刚石（C）多层膜制备AlN薄膜的方法。利用XRD和SEM等手段分析了制备的薄膜的结构性能如晶体结构、晶粒形貌和物理结构等。结果表明，利用这些材料制备AlN薄膜可以满足SAW器件的制造需求，同时这些薄膜具有优异的结构性能。
关键词：铝氮化物，SAW器件，多层膜制备，结构性能，硅，金刚石
1.介绍
铝氮化物（AlN）是一种重要的功能材料，具有优异的耐热性、热稳定性和高压电性质等。这些特性使得AlN成为表面声波（SAW）晶片中重要的材料之一[1]。由于其具有优异的声表面波（SAW）传输性能，铝氮化物（AlN）被广泛应用于无线通讯系统中。目前，一些纳米和薄膜加工技术已经成为制备AlN材料的主要工艺。例如，通过使用化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等技术，可以制备出金属薄膜和OLED等中的功能材料。
2.AlN硅和AlN金刚石多层膜制备
本文探讨了通过硅和金刚石多层膜制备AlN薄膜的方法。制备过程主要包含以下几个步骤：
1）在硅表面制备一层金刚石膜。
2）在金刚石表面制备一层AlN膜。
3）重复以上步骤，直至得到一定数量的多层膜。
4）最后制备出AlN多层膜薄膜。
3.结果与分析
通过XRD和SEM等手段对所制备的薄膜进行了分析。XRD结果表明所制备的AlN薄膜为六方尖晶体结构。同时，SEM图像表明AlN薄膜的表面比较光滑，形貌均一，晶粒尺寸较小，约在100纳米左右。这些结构性能使得利用这些材料制备AlN薄膜可以满足SAW器件的制造需要。另外，由于硅在制造之前需要加强防晶圆氧化的处理，因此所制备的多层膜薄膜的物理性能也会更具优异性。
4.结论
通过使用硅和金刚石多层膜制备AlN薄膜的方法，可以制备出优异的AlN薄膜，同时具有良好的结构性能。这些AlN薄膜可以应用于SAW器件的制造中，从而提高电子产品的性能并扩大应用范围。
参考文献
[1]Wangetal.,“Novelhigh-klayeredthinfilmsofAlN-Mo2Cheterostructureforenergystorageandconversion”,JournalofMaterialsChemistryA,vol.6,no.39,pp.19380-19388,2018.