金纳米线的重离子辐照效应研究.docx
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65nmn沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究标题:65nmn沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究摘要:随着集成电路工艺的不断发展,硬件系统的稳定性对于各种应用场景来说越来越重要。在空间、高能物理实验、核电站等极端环境下,电子、离子、中子等粒子的辐照对MOSFET器件的可靠性和性能产生了重要影响。本文以65nmn沟MOSFET器件为研究对象,探讨了重离子辐照对其径迹效应的影响。引言:辐照效应是指当材料受到辐射的照射时,电子、离子等粒子的能量会被转移到材料中,从而引起材料电学性能的变化。针对不同的辐射源