一种可降低微放电风险的同轴谐振器调谐结构.pdf
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一种可降低微放电风险的同轴谐振器调谐结构.pdf
本发明公开了一种可降低微放电风险的同轴谐振器调谐结构,包括:端头和底座,所述端头分为被调节端(11)和调节端(12),所述底座具有中空管(21),且中空管(21)的外轮廓尺寸与所述被调节端(11)一致。端头和底座同轴套装后安装于同轴谐振器中,构成同轴谐振器的内导体和外导体。采用本发明可以在不拆装同轴谐振器的情况下,对调整谐振器频率进行连续调节,从而使同轴谐振器满足大功率设计的各项要求。
超宽可调谐振器.pdf
超宽可调谐振器,涉及微波器件,本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分,SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环,高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离,高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接,在高阻硅底板的底面设置有第一金层;金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆,消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层,在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层,在消逝模腔内填充有介质材料。本发明实现了频率可调,而且低功耗、驱动快,没有迟滞效应,线
一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构.pdf
一种微同轴结构的制备方法和微同轴结构,该结构包括外面金属框,金属框内部的玻璃介质及玻璃介质内部的金属电极,金属电极与金属框形成一个同轴结构。该方法包括:设置贯穿第一基片和第二基片的第一通槽、第二通槽、上腔体、下腔体、第一盖板的上凹槽和第二盖板的下凹槽;在第一基片和第二基片上下分别加设第一盖板和第二盖板;上凹槽、第一通槽、下凹槽、第二通槽共同形成贯通的通槽腔体结构,并且上腔体、下腔体也形成内腔体结构,在两个腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层;移除第一盖板和第二盖板进行脱模操作;在第一基片
一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构.pdf
本发明公开了一种微同轴结构的制备方法,包括如下步骤:先设置分别贯穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体;然后于第一基片和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层;接着上通槽和下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构,并且上腔体和下腔体形成内腔体结构,在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层;再将第一基片和第二基片进行腐蚀去除操作,形成微同轴结构。本发明将通槽金属层和腔体金属层之间的基片进行腐蚀去除,从而在通槽金属层和腔体金属层之间形成内空的腔体,内外导体之间采用空气作为介质层
一种微同轴结构的制造方法及微同轴结构.pdf
本发明提供了一种微同轴结构的制造方法及微同轴结构,属于微同轴技术领域,该方法包括:制备微同轴底层结构;选取石英玻璃晶圆,并制备玻璃支撑基板;将玻璃支撑基板与微同轴底层结构热压键合,并使得玻璃支撑基板上的金属层与微同轴底层结构表面贴合,得到复合基板;在复合基板上制备若干层微结构;去除微结构外的填充物,并去除微结构内的种子层,使得微结构内形成空气腔,获得微同轴器件。采用上述方法制得的微同轴结构具有优异的结构稳定性,而且可以实现空气腔的传输效果,具有良好的传输性能。