用于形成具有曲面特征的薄膜的方法和包括该薄膜的器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102729629A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102729629A(43)申请公布日2012.10.17(21)申请号201210110057.8(22)申请日2012.04.13(30)优先权数据13/086,0212011.04.13US(71)申请人富士胶片株式会社地址日本东京(72)发明人格雷戈里·德布拉班德尔马克·内波穆尼西(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人陈源张天舒(51)Int.Cl.B41J2/045(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书1111页页附图附图66页(54)发明名称用于形成具有曲面特征的薄膜的方法和包括该薄膜的器件(57)摘要本发明披露了制造具有曲面特征的薄膜的方法。利用掩膜、通过氢氧化钾蚀刻方法，在平坦的基板表面中形成多个凹穴，每个凹穴均为倒置平头金字塔形状。在基板表面之上形成氧化物层。该氧化物层可以被剥离，以在基板表面之中的凹穴的不同小平面之间留下圆滑的拐角，并且所述基板表面可以用来充当轮廓转移基板表面，用于制造具有凹形曲面特征的薄膜。或者，将一个处理层附接于氧化物层上并且移除基板，直到氧化物层的背面显露出来。显露出来的氧化物层的背面包括从处理层凸出的曲面部分，并且可以提供一种轮廓转移基板表面，用于制造具有凸形曲面特征的薄膜。CN102796ACN102729629A权利要求书1/2页1.一种用于形成具有曲面特征的薄膜的方法，包括：对半导体基板的顶面进行氧化，以形成一个氧化层，该半导体基板的顶面具有形成于其中的凹穴，该凹穴具有一个平坦的端壁和多个与端壁邻接的平坦倾斜侧壁，所述氧化物层包括凹穴端壁上的第一部分、凹穴倾斜侧壁上的第二部分、以及半导体基板顶面上位于半导体基板顶面中的凹穴开口周围的第三部分；以及剥离所述氧化物层，以分别在凹穴的端壁和各侧壁之间、以及凹穴的相邻的侧壁之间留下圆滑的相交处。2.如权利要求1所述的方法，还包括：在剥离所述氧化物层后，在半导体基板的顶面上沉积第一材料层，所述第一材料层至少覆盖凹穴的端壁和多个倾斜的侧壁以及各个圆滑的相交处；以及从半导体基板的底面移除至少一部分半导体基板，以至少露出之前覆盖凹穴的端壁和与端壁邻接的各侧壁的下部的区域中的第一材料层的底面。3.如权利要求1所述的方法，还包括：通过掩膜来使用各向异性蚀刻剂蚀刻半导体基板顶面中的凹穴。4.如权利要求3所述的方法，还包括：在所述蚀刻之前，在半导体基板顶面上形成掩膜，该掩膜具有一个开口，半导体基板顶面通过该开口被暴露出来，并且所述掩膜中的开口具有多个直边。5.如权利要求4所述的方法，其中所述掩膜中的开口为矩形形状。6.如权利要求3所述的方法，其中所述各向异性蚀刻剂为氢氧化钾。7.一种用于形成具有曲面特征的薄膜的方法，包括：对半导体基板的顶面进行氧化，以形成氧化物层，该半导体基板的顶面具有形成于其中的凹穴，该凹穴具有平坦的端壁和多个与端壁邻接的平坦倾斜侧壁，所述氧化物层包括凹穴端壁上的第一部分、凹穴倾斜侧壁上的第二部分、以及半导体基板顶面上位于半导体基板顶面中的凹穴开口周围的第三部分；在氧化物层的第一侧接合处理层，该处理层与氧化物层的第三部分相接触；以及移除至少一部分半导体基板，以在氧化物层的第一部分以及与第一部分相邻的第二部分中的至少一部分的区域中露出氧化物层的与第一侧相反的第二侧。8.如权利要求7所述的方法，还包括：在氧化物层的第二侧、至少在氧化物层的第一部分以及至少部分第二部分上沉积第一材料层。9.如权利要求8所述的方法，还包括：在沉积了第一材料层后，移除至少部分处理层，以使在氧化物层的第一侧的至少氧化物层的第一部分和第二部分重新暴露出来。10.如权利要求9所述的方法，还包括：在移除至少部分处理层后，至少移除氧化物层的第一部分和至少一部分氧化物层的第二部分，以露出之前沉积于氧化物层被移除部分之上的一部分第一材料层。11.如权利要求7所述的方法，还包括：通过掩膜来使用各向异性蚀刻剂时刻半导体基板顶面中的凹穴。12.如权利要求11所述的方法，还包括：2CN102729629A权利要求书2/2页在蚀刻之前，在半导体基板顶面上形成掩膜，该掩膜具有开口，半导体基板顶面通过该开口暴露出来，掩膜中的开口具有多个直边。13.如权利要求12所述的方法，其中掩膜中的开口是矩形形状的。14.如权利要求11所述的方法，其中各向异性蚀刻剂为氢氧化钾。15.一种器件，包括：基底晶片；以及附接于该基底晶片顶面上的薄膜，其中该薄膜是一个连续的层，并且包括平面部分和从该平面部分突出的曲面部分，该曲面部分包括与衬底顶面平行的平坦端壁和与端壁邻接的、多个平坦倾斜的侧壁，端壁与各倾斜的侧壁之间的各相交处、每一对邻接的侧壁之间的各相交处