电子设备的电磁屏蔽研究.docx

编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径学海无涯苦作舟页码：电子设备的电磁屏蔽1引言在人类进入信息化社会的今天电磁波作为一种资源已在0Hz～400GHz的宽频率范围内广泛地应用在电子设备中随之而来的电滋干扰也就从低频到微波波段无孔不入地辐射或传导给运行中的设备和周围的环境给设备、系统及生态带来了越来越严重的危害。一种崭新的电子产品无论是走向国内市场还是国际市场首先必须符合与该产品相关的电磁兼容要求。根据国家技术监督局称传导干扰曾使60％以上的国产PC步入不合格的行列而传导干扰只是电子产品电磁兼容的一个指标。电磁兼容已经成为制约我国电子产品出口的技术壁垒。电磁兼容一般指电气及电子设备在共同的电磁环境中能执行各自功能的共存状态即要求在同一电磁环境中各种电子设备能正常工作而又互不干扰达到兼容状态。2电磁屏蔽理论2.1电磁屏蔽的分类电磁屏蔽就是以金属隔离的原理来控制电磁波由一个区域向另外一个区域感应或传播的方法。屏蔽一般分为两种类型：一种是静电屏蔽主要用于防止静电场和恒定磁场的影响这种屏蔽需要完善的屏蔽体和良好的接地。另一类是电磁屏蔽主要用于防止交变电场、交变磁场及交变电磁场的影响电磁屏蔽不但要求良好的接地而且要求屏蔽体具有良好的电连续性最好不能有导体穿过屏蔽体。2．2屏蔽效能计算屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量屏蔽效能是指没有屏蔽时空间某个位置的电磁强度E1或磁场强度H1与有屏蔽时该位置的电场E2或磁场H2的比值。它表征屏蔽体对电磁波的衰减程度通常情况下屏蔽效能ES用分贝表示即目前的屏蔽效能公式一般由谢昆诺夫公式给出即A是吸收损耗由电磁波通过屏蔽体的热损耗引起即R是反射损耗由于屏蔽的阻挡一部分入射波图1为金属板内部多重反射损耗B与吸收损耗A的关系当A>10dB时可以从图中得出B近似为0。在对屏蔽的计算要求不是太精确的情况下B可以不计。以上公式是假设屏蔽板是电薄的无限大平面和入射波是横电磁波条件下的屏蔽效能。而在实际设计中主要是对一些特殊部件进行小范围的屏蔽当屏蔽体为圆柱形时在式(7)、(8)中K是屏蔽层的厚度T同圆柱半径R的比值。D叫作去磁因子它是L／R的函数其对应关系如图2所示。μ是磁渗透因子它同屏蔽层的磁场强度Bm的对应关系如图3所示。对于同心同屏蔽材料的两层圆柱筒屏蔽的情况用以下公式表示：从以上公式可以计算出各种屏蔽材料的屏蔽效能为了方便设计给出下面的一些定性的结论：1)屏蔽效能与屏蔽体到辐射源的距离有关距离越大屏蔽效能越好。2)当干扰电磁场的频率较高时利用低电阻率的金属材料所产生的涡流起对外来电波的抵消作用从而达到屏蔽的效果。3)当干扰电磁波的频率较低时采用高导磁率的材料从而使磁力线限制在屏蔽体的内部防止扩散到屏蔽的空间去。4)同一种屏蔽材料对电场波的屏蔽最高对磁场波的屏蔽最低即磁场波最难屏蔽同时注意屏蔽材料在不同频段的特性有所不同。例如铁磁性材料在低频时的磁导率高吸收损耗大所以低频屏蔽体一般用铁磁材料但到高频时铁磁材料的相对磁导率随着频率的升高而下降而屏蔽材料的反射损耗随着频率的升高而变大所以高频时选用良导体为屏蔽体。5)在某些场合如果要对高频和低频的电磁场都有良好的屏蔽效果时往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽。若屏蔽外部强磁场则外部用不易饱和的高磁导率的材料内部用易饱和的高磁导率的材料；若屏蔽内部的强磁场则材料的选择与上述相反。6)对于双层或多层屏蔽不能进行多点电接触否则就相当于一层屏蔽。为了得到最佳的屏蔽效果对都是铁磁材料的屏蔽层屏蔽层之间的距离等于每层屏蔽材料的厚度。屏蔽层是铁磁材料与导电材料共同构成的多层屏蔽时屏蔽层间不应有间隙。7)进行磁屏蔽时要根据所要屏蔽器件的形状或其他要求把屏蔽体做成不同的形状因此要对材料进行退火处理而退火处理对材料的磁导率有很大的影响退火工艺的不同对磁导率的影响也不同。同时制作过程中对材料的拉伸也会对材料的磁导率有一定的影响。3孔洞和缝隙的电磁泄露与对策一般的金属材料都可以提供100dB以上的屏蔽效能而一般的电器有几十dB的屏蔽效能就可以满足需要但事实是采用一般的屏蔽方法很难满足电器的屏蔽要求其中主要的原因就是屏蔽体的导电不连续性造成的也就是屏蔽体上的孔或者是缝隙引的。由小孔耦合理论可知孔泄露出去的场等于小孔中心处的等效电偶极矩和等效磁偶极矩所产生的场。当孔洞的线长为λ/2的整数倍时可以将激励孔洞的能量全部辐射出去。对于有单一孔洞的屏蔽体其最小的屏蔽效能如下所述。在远场中即屏蔽体离源的距离小于λ/2π时孔洞的电磁屏蔽公式是由以上分析可知对于有孔或缝隙的屏蔽应该注意以下事项：1)在孔洞面积相同的情况下