现代CMOS工艺基本流程.ppt
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第9章-现代CMOS工艺基本流程.ppt
1知识回顾工艺集成工艺集成工艺的选择一、集成电路中器件的隔离LOCOS隔离LOCOS隔离工艺LOCOS隔离工艺10112.1、集成电路对金属化材料特性的要求13Al/Si接触中的几个物理现象(2)Al与SiO2的反应Al与SiO2反应对于Al在集成电路中的应用十分重要:Al与Si接触时,可以“吃”掉Si表面的自然氧化层,使Al/Si的欧姆接触电阻降低;Al与SiO2的作用改善了集成电路中Al引线与下面SiO2的黏附性。Al/Si接触中的尖楔现象1、Al-Si合金金属化引线为了解决Al的尖楔问题,在纯Al中