物联网存储系统基础.ppt

物联网数据存储及管理目录存储系统概述存储器类型

a.存取方法：
顺序存取：磁带
直接存取：块间直接到达、块内顺序存取
随机存取：每一位置有唯一的寻址机制
关联存取：一个字通过其部分内容而不是地址进行访问，Cache
b.功能： 只读存储器:ROM,CD-ROM
可重写的存储器:disk
可擦除的存储器：EPROM
c.物理类型：半导体、磁表面、光
d.物理特性：易丢失/不易丢失、可擦除/不可擦除半导体主存储器

（1）分类
随机存储器RAM：数据易失
静态RAM：触发器中逻辑门，快
动态RAM：电容充电存储数据，需刷新
b.只读存储器ROM：数据永久保存
微程序设计、常用函数库、系统程序、功能表批量生产
c.可编程ROM（PROM）：写一次，数据不丢失少量生产写一次读多次：
d.PROM（EPROM）：
紫外线擦除、电写、数据不易失
e.快闪（FLASHMemory）：
一至几秒内被擦除，数据不易失
f.电可擦PROM（EEPROM）
存放配置信息(2).高级DRAM结构
1)增强的DRAM——EDRAM
在普通的DRAM芯片中集成了一小块SRAM
刷新操作能够与Cache读操作并行进行
EDRAM性能等于或高于带有较大的外部SRAM的DRAM2)带Cache的DRAM——CDRAM
CDRAM中SRAM作为真正的Cache使用，每槽64位，对随机存储有效；
EDRAM中SRAM仅包含一块，最近存取的一槽

3）同步DRAM——SDRAM
与处理器的数据交换同步于外部的时钟信号，并且以处理器/存储器的最高速度运行，不插入等待状态。
异步模式下，处理器需等待存取延时后，存取数据，性能低。
SDRAM采用猝发方式，在存取第1位后，一系列的数据位能够快速地随着时钟输出。（同一行中）
双存储体内部结构提高并行性。
SDRAM串行传输大块数据时性能最好。4）RambusDRAM
解决存储器带宽问题，28根线与处理器交换数据。
总线最多能寻址320块RDRAM芯片，传输率可达500Mbps。
使用异步的面向块的协议传送地址和控制信息。

5）RamLink
集中在处理器和存储器接口，而不是DRAM芯片的内部结构；
存储器环形排列的点到点连接器的接口；
数据以包的形式交换。(3)FLASHMEMORY
FEATURES
•Flexibledual-bankarchitecture*
–Supportfortrueconcurrentoperationwithzerolatency
–Readbankaduringprogrambankbandviceversa
–Readbankaduringerasebankbandviceversa
•Basicconfiguration:
Seventy-oneerasableblocks
Banka(4Mbfordatastorage)；Bankb(28Mbforprogram)
•VCC,VCCQ,VPPvoltages**
–1.65V(MIN),2.2V(MAX)VCC,VCCQ
–12V±5%(HV)VPPtolerant•Randomaccesstime:100nsand110ns@1.65VVCC
•PageModereadaccess
–Fouroreightwords
–Interpagereadaccess:100ns/110ns@1.65V
–Intrapagereadaccess:35ns/45ns@1.65V
•Lowpowerconsumption(VCC=1.8V)
–READ<25mA
–WRITE/ERASE<20mA(MAX)
–Standby<12µA(TYP)
–Automaticpowersavingfeature(APS)Competition:SSDHybridSSD磁存储器

借助磁性材料的两种剩余磁化状态，或磁化与非磁化的两种材料状态，或有磁化翻转和无磁化翻转的两种状态记录二进制数据信息。

磁面存储器磁层上记录的是正、负磁化状态或磁化状态的变化，即磁化翻转。按媒体基底材料的不同，分为两类。使用柔性基底材料的设备有磁带机，软磁盘机。使用刚性基底材料的是硬磁盘驱动器。光存储器

利用微小的激光束照射光记录媒体上，使被照射部位发生热效应或光效应，从而改变媒体的光学（或光磁）性质以记录信息的一类存储设备。读出时，媒体表面的状态转变为反射光强或偏振光的偏转角旋转，还原出记录的信息。

种类：
只读光盘存储器
只写一次读多次光盘存储器
可擦光盘存储器存储系统概述存储系统概述直接连接存储（DirectAccessStorage,DAS）TypicalLANusingDAS直接连接存储（DirectAccessStorage,