FLASH原理与应用培训.ppt

FLASHIntroduction
目录FLASH作为一种非易失性存储器，在原理、技术和结构上，与ROM、PROM、EPROM和EEPROM存储器有着显著不同。它是一种可快速擦除可现场编程的快擦写存储器。这种特性决定了FLASH作为BIOS、在线擦写和掉电保护数据和分区保护数据等场合有着广泛的应用。
FLASH是由一个带浮栅的晶体管构成，该晶体管的阈值电压可通过在其栅极上施加电场而被反复改变（编程），结合了EPROM编程机制和EEPROM擦除特点。
非易失性：掉电数据不会丢失－－ROM特性
在线更改数据:－－RAM特性
兼有ROM和RAM的特点:
块结构：Flash按块操作的特点
命令接口：可编程特性
编程特点：编程之前必须擦除
寿命限制：一般的Flash为10万次的擦写循环，20年的数据保持时间
容量:
1Mbit(128K×8bit)，4Mbit(512K×8bit/256K×16bit)
16Mbit(2M×8bit/1M×16bit)，32Mbit(2M×16bit)
64Mbit(4M×16bit),128Mbit(16M×8bit/8M×16bit)

数据宽度：
有2种数据总线宽度，byte、word(一般可配置）FlashIC
几乎每块单板上都有它的身影
单板的BIOS载体都是Flash
单板软件，主机软件的载体也是Flash
FlashCard
由Flash芯片和一些外围控制电路组合而成
可以存储大量的数据，我司所用的容量为：128\256\512MB
在我司应用越来越广泛FLASH应用场合保留(不可CACHE)FLASH硬件设计—管脚分布FLASH硬件设计—数据地址管脚STS：STS用于指示芯片内部状态，有效时可以是低电平输出或脉冲输出，一般接控制器的中断输入管脚。配置为缺省模式时功能与RY/BY脚功能相同，当内部进行擦除、编程或加锁操作时，输出低电平。因其为开漏输出，设计中应该加上拉电阻。
/RP：复位/深度低功耗控制输入线，低电平有效，可以使芯片处于深度低功耗状态，锁定自举模块，同时停止模块擦除和字节编程操作以及使写状态机WSM复位，用以防止储存单元被擦除或编程。这样在电源变化的过渡期提供数据保护功能。一般用CPU的复位输出控制该管脚。
/BYTE：字节选通信号，逻辑低表示工作在×8模式，逻辑高表示工作在×16模式。在通常的×16模式设计中，该管脚接电阻上拉。FLASH硬件设计—状态控制管脚FLASH硬件设计—状态控制管脚VCC：器件电源电压，电源电压<Vlko(Lock-OutVoltage)时，所有的写操作都会被禁止。电源电源在Vcc(min)和Vlko或者大于Vcc(max)时写操作不可靠。
VCCQ：输出BUFFER电源电压。如SST39VF160Q和INTEL的28F160/320C3/J3系列，前者VCCQ可以在2.7V-5.5V范围内调整以提高器件的灵活接口能力；而后者在3.3Vcc时的调整范围为2.7V-3.6V。需要注意的是，如果端口电平无需调整，VCCQ必须连接Vcc而不能悬空。
VPEN：擦除、写、块保护的电压使能管脚。当Vpen<Vpenlk时，以上操作被禁止，只允许读状态寄存器，厂商及器件ID，Query数据库。因此设计中应上拉或直接与电源电压接在一起。FLASH硬件设计—内部结构FLASH硬件设计—读写操作FLASH软件设计—指令序列FLASH软件设计—内部状态FLASH软件设计—Toggle检测法FLASH软件设计—Polling检测法FLASH软件设计—Read/Reset指令LA采样的MBM29LV400TC器件Read/Reset指令周期：
FLASH软件设计—Autoselect指令FLASH软件设计—Erase指令FLASH软件设计—Erase指令FLASH软件设计—Program指令FLASH软件设计—Suspend&Resume指令FLASH测试指标—信号质量FLASH测试指标—读时序FLASH测试指标—写时序FLASH测试指标—复位时序ESR_Block_Erase(_US*flash_addr)
{。。。
/*PollCSRuntilCSR.7oftargetaddress=1(WSMready.)*/
while(!(BIT_7&byte)&&loop++<ESR_POLLING_TIMEOUT)
byte=Read_from_Flash(flash_addr);
if(loop>=ESR_POLLING_TIMEOUT)return0;
Write_to_Flash(flash_addr,CLEAR_STATUS_REGISTERS);
Write_to_Flash(flash_addr,READ_FLASH_ARRAY);
return