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大石桥二高中2015-2016学年度上学期期末考试
高二物理试卷
时间：90分钟满分：100分
第Ⅰ卷
L3
L2
L1
一、选择题（共12小题，1-8题单选，9-12题多选，共48分）
1.如图所示电路中，三个相同的灯泡额定功率是40W，在不损坏灯泡的情况下，这三个灯泡消耗的总功率最大不应超过()
A．40W B．60W
C．80W D．120W
2．对于理想变压器来说，下列说法中不正确的是
A．变压器是利用互感现象制成的
B．变压器可以改变各种电源的额定功率
C．变压器不仅能改变电压，还同时改变电流
D．变压器的初级电流随次级电流的增大而增大A
C
P
S
V
Er
R
L

3．如图所示，电流表、电压表均为理想电表，L为小电珠。R为滑动变阻器，电源电动势为E，内阻为r。现将开关S闭合，当滑动变阻器滑片P向左移动时，下列结论正确的是()
A．电流表示数变小，电压表示数变大
B．小电珠L变亮
C．电容器C上电荷量减小
D．电源的总功率变大
4.如图所示，理想变压器原、副线圈的匝数比n1:n2=1:3，次级回路中联入三个均标有“36V，40W”的灯泡,且均正常发光，那么,标有“36V、40W”的灯泡A
A、也正常发光B、将被烧毁
C、比另三个灯暗D、无法确定
5.两只阻值相等的电阻分别通以正弦交流电与方形交流电，它们电流的最大值相等，如图所示，则两只电阻的热功率之比是
A、1：4
B、1：2
C、1：
D、1：1
6.如图所示，在MNQP中有一垂直纸面向里匀强磁场。质量和电荷量都相等的带电粒子a、b、c以不同的速率从O点沿垂直于PQ的方向射入磁场，图中实线是它们的轨迹。已知O是PQ的中点，不计粒子重力。下列说法中正确的是
A．粒子a带负电，粒子b、c带正电
B．射入磁场时粒子a的速率最小
C．射出磁场时粒子b的动能最小
D．粒子c在磁场中运动的时间最长
7.关于感应电流，下列说法中正确的是()
A．只要闭合电路内有磁通量，闭合电路中就有感应电流产生
B．穿过螺线管的磁通量发生变化时，螺线管内部就一定有感应电流产生
C．线圈不闭合时，即使穿过线圈的磁通量发生变化，线圈中也没有感应电流
D．只要电路的一部分作切割磁感线的运动，电路中就一定有感应电流
8.下面关于自感的说法正确的是()
A．自感电动势总是阻碍电路中原来电流的增加
B．自感电动势总是阻碍电路中原来电流的变化
C．同一电感线圈中的电流越大，自感电动势越大
U/V
I/A
4
2
O
1234
a
b

D．同一电感线圈中的电流变化越大，自感电动势越大
9.如图所示，a、b分别表示一个电池组和一只电阻的伏安特性曲线。以下说法正确的是()
A．电池组的内阻是1Ω
B．电阻的阻值为0.33Ω
C．将该电阻接在该电池组两端，电池组的输出功率将是4W
D．改变外电阻的阻值时，该电池组的最大输出功率为4W
10.导体导电是导体中自由电荷定向移动的结果，这些可以定向移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是电子．现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ1和φ2，则（）
A．长方体如果是N型半导体，必有φ1＞φ2
B．长方体如果是P型半导体，必有φ1＞φ2
C．长方体如果是P型半导体，必有φ1＜φ2
D．长方体如果是金属导体，必有φ1＜φ2
11.如图所示，通电导体棒静止于水平导轨上，棒的质量为m，长为L，通过的电流大小为I且垂直纸面向里，匀强磁场的磁感应强度B的方向与导轨平面成θ角，则导体棒受到的()
A．安培力大小为BIL
B．安培力大小为BILsinθ
C．摩擦力大小为BILsinθ
D．支持力大小为mg－BILcosθ
12.如图所示，一电子以初速度v沿与金属板平行的方向飞入MN极板间，发现电子向M板偏转，则可能是()
A．电键S闭合瞬间
B．电键S由闭合到断开瞬间
C．电键S是闭合的，变阻器滑片P向左迅速滑动
D．电键S是闭合的，变阻器滑片P向右迅速滑动

第Ⅱ卷
二、填空题（共2小题，每空4分共16分）
R1
U/V
I/A
O
R2
2
4
0.4
0.8
13.如图所示为两个电阻的U－I图象，两电阻阻值之比R1∶R2为_____________，给它们两端加相同的电压，则通过的电流之比I1∶I2为_________。
14.在“描绘小电珠的伏安特性曲线”的实验中备有下列器材：
A．小灯泡(3.8V,1.5W)
B．直流电源(电动势4.5V，内阻约0.4Ω)
C．电流表(量程0～500mA，内阻约0