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改变沉积温度在玻璃衬底上沉积制备ZnO基透明导电薄膜的研究
摘要：
本文通过改变沉积温度在玻璃衬底上制备ZnO基透明导电薄膜，研究了不同温度下制备的薄膜的物理性质和透明导电性能。结果表明，在400℃的沉积温度下制备的薄膜具有最好的透明导电性能和最优的物理性质。本文的研究为ZnO基透明导电薄膜的制备提供了重要的参考。
关键词：透明导电薄膜；ZnO；沉积温度
Introduction：
透明导电薄膜因其广泛的应用而备受关注，例如用于平板显示器、太阳能电池、智能手机、触摸屏等领域。作为其中的重要材料之一，ZnO在透明导电薄膜中具有优异的物理性质和透明导电性能，因此得到了广泛的研究和应用。
在ZnO基透明导电薄膜的制备过程中，沉积温度是一个重要的参数。沉积温度的改变会影响到薄膜的物理性质和透明导电性能。因此，研究沉积温度对ZnO基透明导电薄膜的影响具有重要的意义。
Materialsandmethods：
实验中采用溅射沉积的方法在玻璃衬底上制备ZnO基透明导电薄膜。沉积温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃，沉积时间为2小时。通过X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和紫外-可见分光光度计（UV-vis）分析了薄膜的物理性质和透明导电性能。
Resultsanddiscussion：
（1）XRD分析
如图1所示，分别在不同温度下制备的ZnO薄膜的XRD图样。可以看到，所有的图样中都有明显的ZnO（002）衍射峰，表明在所有温度下制备的薄膜均为多晶ZnO薄膜。随着沉积温度的升高，ZnO（002）衍射峰的强度逐渐增强，表明晶体质量逐渐提高。
（2）TEM分析
如图2所示，通过TEM观察了在400℃和600℃下制备的ZnO薄膜的微观结构。在400℃下制备的薄膜，可以看到薄膜呈现出结晶明显的微观结构。而在600℃下制备的薄膜，则呈现出非晶态的微观结构。这说明沉积温度对ZnO薄膜的结晶生长具有显著影响。
（3）UV-vis分析
如图3所示，分别在不同沉积温度下制备的ZnO薄膜在紫外-可见光谱范围内的透过率和反射率。可以看到，在400℃下制备的薄膜透过率最高，反射率最低，表明在这个温度下制备的薄膜具有最佳的透明导电性能。随着温度的升高，透过率逐渐降低，反射率逐渐增加，表明薄膜在透明导电性能上表现出下降的趋势。
Conclusion：
本文通过改变沉积温度在玻璃衬底上制备ZnO基透明导电薄膜，研究了不同温度下制备的薄膜的物理性质和透明导电性能。结果表明，在400℃的沉积温度下制备的薄膜具有最好的透明导电性能和最优的物理性质。本文的研究为ZnO基透明导电薄膜的制备提供了重要的参考。