Pd掺杂AlN的铁磁性质的第一性原理研究(英文).docx
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Pd掺杂AlN的铁磁性质的第一性原理研究(英文)First-PrinciplesStudyontheFerromagneticPropertiesofPd-dopedAlNInrecentyears,AlNhasattractedsignificantattentionasapotentialcandidateforspintronicsapplicationsduetoitslargebandgap,highthermalstability,andpiezoelectricproperties.Howe
Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究.docx
Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究摘要:本文通过第一性原理计算方法,研究了Ni掺杂AlN材料的铁磁性质。通过计算其能带结构、态密度和磁性质,得出了Ni掺杂对AlN材料的铁磁性的影响。研究结果表明,Ni掺杂可以有效地引入铁磁性,并且其磁性可以通过调节掺杂浓度进行调控。1.引言铁磁材料因其在磁性存储器、传感器和磁性器件中的重要应用而备受关注。然而,传统的铁磁材料往往含有稀土元素或过渡金属,这些元素的供应紧张和成本较高,限制了其广泛应用。因此,寻找新型的铁磁材料是一个重要的
Pd(Rh)掺杂AlN电子结构和磁性的第一性原理研究.docx
Pd(Rh)掺杂AlN电子结构和磁性的第一性原理研究Pd(Rh)掺杂AlN电子结构和磁性的第一性原理研究摘要:我们在这篇论文中使用第一性原理方法研究了Pd和Rh掺杂的AlN基材料中的电子结构和磁性。我们发现,相对于纯AlN,Pd掺杂AlN可能表现出磁性,这是由于Pd原子的d电子对材料的磁性作出贡献。Rh掺杂对磁性没有太大贡献,但是Rh和N之间的强化相斥相互作用可以降低材料的磁性。引言:AlN是一种重要的半导体材料,其在微电子学和光电子学,尤其是在能源和光学器件方面被广泛应用。然而,纯AlN是非磁性的,这限
Cu掺杂的AlN铁磁性和光学性质的第一性原理研究_林竹.pdf
第58卷第3期2009年3月物理学报Vol.58,No.3,March,2009100023290P2009P58(03)P1917207ACTAPHYSICASINICAn2009Chin.Phys.Soc.Cu掺杂的AlN铁磁性和光学性质的第一性原理研究3林竹郭志友毕艳军董玉成(华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所,广州510631)(2008年6月2日收到;2008年8月20日收到修改稿)采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Cu
过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研究的综述报告.docx
过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研究的综述报告过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性的研究近年来引起了广泛的关注。它具有许多应用,如在磁存储领域、磁电材料、磁光材料以及新型磁性器件中。本文将从第一性原理计算的角度综述近年来在过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性研究方面的一些进展。首先,本文将简要介绍ALN基稀磁半导体的概念及其性质。ALN基稀磁半导体是指将过渡金属掺杂到ALN晶体中,形成具有铁磁性的新材料。ALN是一种离子性固体,晶格结构为六方紧密堆积。理论上,ALN具有负电学,在一定的处理条