碲镉汞探测器制备湿法和干法工艺的研究进展.docx
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碲镉汞探测器制备湿法和干法工艺的研究进展.docx
碲镉汞探测器制备湿法和干法工艺的研究进展碲镉汞探测器是一种重要的半导体材料,具有灵敏度高、能量分辨率好等优点,广泛应用于核医学、核物理、材料分析等领域。然而,其制备过程较为复杂,需要采用湿法或干法工艺。下面将从这两种工艺的原理、优缺点和研究进展等方面进行探讨。一、湿法制备湿法制备是指将碲镉汞晶体放入含有碘、银、水等物质的溶液中,进行淬火处理后制成探测器。其制备步骤如下:首先,将碲、镉、汞三种金属分别蒸发在高温下,形成碲镉汞晶体。然后,将晶体放入含有IBr、KI等物质的溶液中,进行淬火处理。此时,淬火液中的
基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术.pdf
本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法,该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后,采用高选择比的无机酸腐蚀液,通过湿法腐蚀工艺,完全腐蚀衬底留下外延层,以展宽探测波段至可见光,减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤,消除衬底荧光效应,从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单,便于在工艺上实现。
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结构和工艺对碲镉汞光导探测器响应率的影响Title:InfluenceofStructureandTechnologyontheResponsivityofCadmiumMercuryTelluride(CMT)PhotodetectorsAbstract:Inrecentyears,thedevelopmentofinfraredphotodetectorshasgainedsignificantattentionduetotheirwidespreadapplicationsinvariousfiel
碲镉汞pn结制备技术的研究进展.docx
碲镉汞pn结制备技术的研究进展近年来,碲镉汞(TlHgCd)材料的应用领域不断拓展,尤其是在光电探测器和半导体激光器等方面的应用越来越广泛。其中,pn结是TlHgCd材料应用的关键技术之一,具有重要的理论和实际意义。TlHgCd材料的特性是具有调整能带结构的能力,因而其能够适应更广泛的光谱范围,同时具有较好的光电探测性能。TlHgCdpn结是一种由n型和p型材料构成的结,用于光电探测器和半导体激光器中,具有良好的电学、光学性能和快速响应速度,因而在光伏领域具有广泛的应用前景。下面将分别从TlHgCdpn结
CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究.docx
CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究标题:CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究摘要:本文以CdTeZnS双层钝化碲镉汞(CdTeZnS/CdHgTe)作为长波探测器的材料进行研究,通过化学合成和物理性质表征手段,对该材料的制备方法、表征技术、电学性质和光学性质进行了详细研究。实验结果表明,CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器在长波范围内具有较高的灵敏度和响应速度,有望在红外成像和红外辐射测量领域具有广泛应用前景。关键词:CdTeZnS双层钝化碲镉汞;长波探测器;制备方法;表征技术