一种线锯切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103144208A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103144208103144208A(43)申请公布日2013.06.12(21)申请号201310052216.8(22)申请日2013.02.17(71)申请人英利集团有限公司地址071051河北省保定市翠园街722号(72)发明人龙峰汪飞杨亮杨银博黄杰(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王宝筠(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图2页附图2页(54)发明名称一种线锯切割方法(57)摘要本发明公开了一种线锯切割方法，包括：在线锯切割机的导轮上进行布线，使导轮的布线区内的相邻两根钢线的间距等于目标籽晶的厚度；进行线锯切割。应用本发明提供的线锯切割方法切割籽晶时，锯缝损失小，硅棒的利用率高，籽晶的生产成本低，切割得到的籽晶的端面平整度较好，籽晶合格率高，而且此种切割方法可以增加每次切割产生的籽晶数量，提高切割籽晶的生产效率。CN103144208ACN103428ACN103144208A权利要求书1/1页1.一种线锯切割方法，其特征在于，包括：在线锯切割机的导轮上进行布线，使导轮的布线区内的相邻两根钢线的间距等于目标籽晶的厚度；进行线锯切割。2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述线锯切割机的导轮的布线区的槽距大于导轮的入线口和出线口的槽距，且导轮的布线区内的槽距是均匀的。3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述入线口和所述出线口的宽度为15mm。4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述入线口和出线口的槽距沿导轮的布线区到导轮两侧的方向逐渐减小。5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述布线区的槽距为5mm，所述入线口和出线口靠近导轮边缘的最小槽距为345μm。6.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述入线口和出线口的槽距是均匀的。7.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，所述布线区的槽距为5mm，所述入线口和出线口的槽距为345μm。8.根据权利要求5或7所述的切割方法，其特征在于，在线锯切割机的导轮上进行布线的过程为：在导轮的入线口和出线口每一个槽布一根线，在导轮的中间布线区每四个槽布一根线。9.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述线锯切割过程采用往复切割方法。10.根据权利要求9所述的切割方法，其特征在于，所述往复切割方法的回线率为80%。11.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述线锯切割过程的线锯切割机的工作台下降速度为0.3mm/min~0.5mm/min，包括端点值。12.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，当所述线锯切割的钢线直径为0.13mm时，所述线锯切割的钢线运行速度为13m/s，入线口侧的钢线张力为24N，出线口侧钢线张力为22N，工作台下降速度为0.5mm/min，浆料流量为150kg/min。2CN103144208A说明书1/5页一种线锯切割方法技术领域[0001]本发明属于太阳能电池领域，尤其涉及一种线锯切割方法。背景技术[0002]随着太阳能电池的广泛应用，晶体硅材料的需求逐渐增大，由于单晶材料相对于多晶材料，在电性能、热像能、磁性能等方面具有优越性，因此可以尝试在晶体生长中增大晶粒的尺寸，减少晶粒数量，并称此类具有大的晶体尺寸，很少晶粒数量的晶体为类单晶，以在突出单晶性能的同时，使晶体硅材料的应用多元化。之后，业内的专家和学者研制开发出了铸造类单晶的方法，类单晶铸造是以单晶作为籽晶，放置于坩埚底部，将多晶硅料和硼母合金放置于籽晶之上。然后将装好料的坩埚放置于铸锭炉中，铸造出类单晶硅锭。[0003]和常规多晶硅铸锭相比，类单晶铸锭多了一道籽晶加工的工序，籽晶加工的工序需要将单晶硅棒切割成为面积为156mm×156mm，厚度为20mm～30mm的硅块，作为铸造类单晶的籽晶。现有的较常用的籽晶加工的方法为带锯切割，带锯切割的过程是通过两个带轮带动锯片进行切割的。[0004]但是带锯切割存在加工耗时多、生产成本高，硅棒损耗大，且切割得到的籽晶质量较差等问题。发明内容[0005]有鉴于此，本发明提供一种线锯切割方法，此种线锯切割方法可以在减少加工时间，降低生产成本和硅棒损耗的同时，改善籽晶的质量。[0006]为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：[0007]一种线锯切割方法在线锯切割机的导轮上进行布线，使导轮的布线区内的相邻两根钢线的间距等于目标籽晶的厚度；进行线锯切割。[0008]优选的，所述线锯切割机的导轮的布线区的槽距大于导轮的入线口和出线口的槽距，且导轮的布线区内的槽距是均匀的。[00