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应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究
1.引言
近年来，随着科学技术的不断发展，芯片制造技术也得到了长足的发展。这其中，应变硅技术在制造高性能芯片中已经得到了广泛的应用。应变硅技术通过在晶体管沟道中引入应力，从而改变电子传输的能带结构，提高晶体管的电性能。因此，研究应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究对芯片性能的提高具有重要的意义。
2.应变硅效应介绍
应变硅效应是指在硅芯片中施加应力，从而改变晶体管沟道电子能带结构，使得晶体管的电性能得到提高的现象。在晶体管中，源、漏端之间的沟道是电子传输的主要通道。通过引入应力，可以改变沟道的形态以及沟道电子的传输情况。常用的施加应力的方法包括负载线法、封口法以及SPS法等。
3.应变硅NMOS晶体管介绍
应变硅NMOS晶体管是一种利用应变硅技术制造的晶体管，其沟道中有应变硅效应。这种晶体管在传输电子时具有更高的迁移率，因此能够实现更高的工作频率和更高的性能。
4.应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究
应变硅效应的作用主要表现在沟道电子能带结构的变化上。通过模拟计算，可以得到沟道中的应变效应对晶体管性能的影响。通过引入应变，在沟道内部产生了不同程度的能带变化。在负载线法中，由于晶体管沟道周围受到一定的拉伸应力从而会使沟道下方的能带产生不对称，这对于电子的传输有非常重要的影响。事实上，这种应变还会影响沟道电阻和电子迁移率等参数。
5.结论
应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究对芯片制造技术的发展具有非常重要的意义。通过引入应变，在晶体管沟道中引起的能带变化，对于晶体管的电性能具有重要的影响。同时，晶体管沟道中的应变还会影响电子传输、沟道电阻以及电子迁移率等参数。因此，研究应变效应对芯片性能的影响，具有指导芯片制造技术发展的重要意义。