场发射锥尖的制备及特性研究.docx
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场发射锥尖的制备及特性研究.docx
场发射锥尖的制备及特性研究场发射锥尖(FieldEmissionCones,FECs)是一种特殊的材料结构,具有尖锐的顶端,可以通过场电子发射现象产生高度聚束、高速度的电子流。本文将探讨场发射锥尖的制备方法以及其特性研究。首先,场发射锥尖的制备方法可以分为两个主要步骤:材料选择和形状控制。对于材料选择,要求具有良好的电子发射性能,常见的选择包括碳纳米管、金刚石膜、WO3等。这些材料具有较低的功函数和较好的导电性能,有利于提高电子发射效率。在形状控制方面,通常采用磨刻、蒸发、离子注入等方法来控制锥尖的形状。
单晶稀土六硼化物尖锥的制备及场发射性能研究.docx
单晶稀土六硼化物尖锥的制备及场发射性能研究标题:单晶稀土六硼化物尖锥的制备及场发射性能研究摘要:单晶稀土六硼化物具有独特的电子场发射性能,因此对其制备方法和场发射性能进行深入研究具有重要意义。本文通过文献搜集和实验研究,总结了单晶稀土六硼化物尖锥的制备方法,并对其场发射性能进行了分析。实验结果表明,单晶稀土六硼化物尖锥的制备过程受到多种因素的影响,包括原料纯度、温度、压力等。同时,研究发现场发射性能受到单晶稀土六硼化物晶体结构、表面形貌等因素的影响。本文通过对制备方法和场发射性能的研究,为单晶稀土六硼化物
SiC纳米尖锥场发射阵列制备及其性能研究的中期报告.docx
SiC纳米尖锥场发射阵列制备及其性能研究的中期报告这是一份关于SiC纳米尖锥场发射阵列制备及其性能研究的中期报告,以下将详细介绍实验方法和初步结果,希望能够为后续研究提供参考。1.实验方法SiC纳米尖锥场发射阵列的制备过程主要分为两个步骤:制备SiC纳米尖锥芯片和制备阵列。1.1制备SiC纳米尖锥芯片制备SiC纳米尖锥芯片的过程如下:(1)选取一块硅片作为基板。(2)在基板上分别溅射一层钼和一层氧化铝,用作金属导线和介电体。(3)利用光刻技术在氧化铝上定义出阵列区域。(4)在阵列区域内生长SiC纳米尖锥。
硅纳米线的制备及场发射特性研究.pptx
汇报人:目录PARTONEPARTTWO物理气相沉积法化学气相沉积法电化学沉积法其他制备方法PARTTHREE场发射原理硅纳米线的场发射特性研究进展硅纳米线场发射特性的影响因素硅纳米线场发射特性的应用前景PARTFOUR对材料科学领域的影响对电子学领域的影响对未来科技发展的推动作用对实际应用的价值和意义PARTFIVE硅纳米线制备技术的未来发展方向硅纳米线场发射特性研究的未来发展方向硅纳米线在其他领域的应用前景未来发展的挑战与机遇THANKYOU
碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究.docx
碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究摘要:碳纳米管(CNTs)具有极高的比表面积、导电性和机械强度,是制备高性能场发射阴极的理想材料。电泳法是制备碳纳米管场发射阴极的一种有效方法。本文研究使用电泳法制备高质量碳纳米管场发射阴极,并对其场发射特性进行了研究。结果表明,碳纳米管场发射阴极具有优良的场发射性质,可以用于电子器件中的取代传统微加工方法来实现高性能低成本的电子元件制造。关键词:碳纳米管,场发射,电泳法,阴极引言:场发射阴极是一种能够将高速电子从表面