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化学浴沉积PbSe多晶薄膜及其光电性能初探
摘要：本文中，我们介绍了一种用化学浴沉积法制备PbSe多晶薄膜的方法，探究了其光电性能。结果表明，PbSe薄膜具有优异的光电性能，其吸收峰位在1.1μm附近，透过率为70%左右，同时呈现出良好的光电响应特性。这一发现在太阳能电池、红外检测器等领域具有广泛的应用前景。
关键词：PbSe、多晶薄膜、化学浴沉积、光电性能
引言：在当今社会，随着人们对清洁能源的需求越来越高，太阳能电池等光电设备的研究已经成为许多研究者关注的焦点。在这些光电器件中，半导体材料的选择和其在器件中的制备方法都是至关重要的。PbSe是一种优异的半导体材料，具有良好的光电性能和可调谐的光电响应特性，被广泛应用于太阳能电池、红外探测器等领域。
实验部分：我们使用化学浴沉积法来制备PbSe多晶薄膜。具体实验步骤为：将Pb(CH3COO)2和SeO2溶于H2O中，控制pH值在2-3之间，加入表面活性剂作为络合剂并将玻璃基底浸泡于溶液中。随着时间的推移，PbSe形成在基底上，通过后续的离子交换和清洗等步骤后，制备出了PbSe多晶薄膜。我们利用紫外可见光谱仪、透射电子显微镜和光电响应系统等方法对制备的PbSe多晶薄膜进行了表征。
结果与讨论：我们发现，制备的PbSe多晶薄膜在1.1μm左右存在着极强的吸收峰，表明其具有优异的吸收性能。同时，通过透射电子显微镜观察可知，PbSe多晶薄膜具有完整的晶格结构和较高的结晶度，表现出良好的多晶性。另外，我们还考察了制备的PbSe多晶薄膜的光电响应特性。实验结果表明，PbSe多晶薄膜呈现出较高的光电响应灵敏度，同时随着光照强度的增加，光电流随之增加。
结论：本文中，我们成功地利用化学浴沉积法制备了优异的PbSe多晶薄膜，并探究了其光电性能。实验结果表明，制备的PbSe多晶薄膜具有优异的吸收性能和光电响应特性，表现出优秀的光电性能。这一发现对于太阳能电池、红外探测器等领域的研究具有重要意义，有望为这些领域的发展和应用提供更为有效的材料基础。