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1.位错理论基础1.1晶体缺陷的类型1.2~1.3位错的基本概念刃型位错1.4位错的应力场及应变能螺型位错周围只有一个切应变:位错应变能派—纳力(Peirls-Nabarro)此阻力来源于周期排列的晶体点阵。1)通过位错滑动而使晶体滑移τp较小设a≈bv约为0.3则τp为(10-3~10-4)G仅为理想晶体的1/100~1/1000。2)τp随a值的增大和b值的减小而下降。在晶体中原子最密排面其面间距a为最大原子最密排方向其b值为最小可解释晶体滑移为什么多是沿着晶体中原子密度最大的面和原子密排方向进行。3)τp随位错宽度减小而增大。强化金属途径:一是建立无位错状态二是引入大量位错或其它障碍物使其难以运动。位错的攀移及驱动力▲交滑移1.6位错在应力场中的受力1.7位错间的相互作用1.8位错与溶质的交互作用1.9位错的交割1.10位错的增殖与塞积位错的塞积堆垛层错1.12扩展位错扩展位错:一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带构成的位错。如:面角位错影响加工硬化/断裂