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5.1P-n结的开关特性 耗尽层电容充电时间基区过剩少数载流子和基区充电时间---长基区二极管基区过剩少数载流子和基区充电时间---长基区二极管(续)基区过剩少数载流子和基区充电时间---短基区二极管基区过剩少数载流子和基区充电时间---短基区二极管(续)通过短基区二极管的平均时间通过短基区二极管的平均时间(续)正偏二极管的放电时间(正偏到反偏)正偏二极管的放电时间(续)正偏二极管的放电时间(计算)正偏二极管的放电时间(计算)(续)正偏二极管的放电时间(讨论)--长基区二极管的放电时间QB(t)/QB(0)与t/的关系电荷控制分析 基本的放大器放大器中的电阻和电流晶体管的频率特性忽略寄生电阻后的小信号等效电路模型截止频率的倒数与集电极电流倒数的关系截止频率与集电极电流关系的测量结果fT,fmaxandVA与基区掺杂浓度的实验结果fT,fmaxandVA与基区厚度的实验结果精品课件!精品课件!最近报道的n-p-n晶体管的BVCE0与fT