拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文-豆柴文库

拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答案中文.ppt

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会计学2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线解：PMOS管：假设阈值电压VTH=-0.8V,不考虑亚阈值导电当|VGS|<0.8V时，PMOS管工作在截止区，则ID=0当|VGS|≥0.8V时，PMOS管工作在饱和区，PMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则2.2W/L=50/0.5,|ID|=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗，以及本证增益gmro解：本题忽略侧向扩散LD2.3导出用ID和

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