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金属氧化物半导体场效应管.ppt
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Chap6金属－氧化物－半导体场效应管概述概述概述6.1理想MOS结构的表面空间电荷区功函数：真空能级到费米能级的能量间隔，即阻止电子逃逸的势垒。第二个条件表明金属和半导体表面的势能相等。前两个条件表明：若没有外加电压，半导体的能带从表面到内部都是平的。（3）sio2层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过。因此，即使有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，这使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。半导体表面空间电荷区半导体表面空间电荷区半导体表面空间电荷区半导体表面空间电荷区半导体表面空间电荷区6.1.
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