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B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究
论文题目：B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究
摘要：本文利用射频磁控溅射技术制备了B-N共掺p型ZnO薄膜，并对其结构、形貌、光学和电学性质进行了研究。结果表明，共掺B-N后，ZnO薄膜的导电性能得到显著提高，并出现明显的p型导电行为。同时，共掺B-N对ZnO薄膜的光学性质和晶格结构也有一定影响。
关键词：ZnO薄膜，B-N共掺，p型导电行为，光学性质，晶格结构
Introduction
氧化锌薄膜由于其优异的光电性能，可广泛应用于太阳能电池、光电设备、传感器等领域。而实现p型导电是其中的难点之一。近年来，B-N共掺是实现p型导电的一种有效途径。在本文中，我们利用射频磁控溅射技术制备了B-N共掺p型ZnO薄膜，并对其结构、形貌、光学和电学性质进行了研究。
Experimental
采用射频磁控溅射技术，在ZnO薄膜表面共掺入B和N元素，掺杂比例分别为3%和1%。采用X射线衍射、扫描电镜、光学光谱分析等技术对薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行研究。
ResultsandDiscussion
在X射线衍射图中，B-N共掺p型ZnO薄膜仍保持六方晶系结构，但掺杂后的晶格略有畸变。在扫描电镜图中，薄膜表面均匀光滑，无明显的颗粒和晶粒。在光学光谱分析中，共掺B-N后，ZnO薄膜的禁带宽度从3.26到2.91eV，出现了明显的宽谷。
在电学性质方面，共掺B-N后，ZnO薄膜的导电性能得到显著提高，并出现明显的p型导电行为。测量结果表明，共掺B-N后的薄膜具有比单独掺B或掺N更好的p型导电行为，原因可能是B和N之间的协同作用或B和N对ZnO的基态电子结构的调制。
Conclusion
本文综合研究了B-N共掺p型ZnO薄膜的结构、形貌、光学和电学性质，并证明了B-N共掺是实现p型导电的有效途径。该研究对于ZnO薄膜在电子器件等领域的应用具有重要意义。
参考文献：
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