Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化-豆柴文库

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CuCMP抛光液对速率的影响分析及优化 Abstract: CMP(ChemicalMechanicalPolishing)isakeyprocessinsemiconductormanufacturing.ThepolishingrateoftheCMPslurryhasasignificantimpactontheyieldandthroughputoftheproductionline.Inthispaper,thefactorsaffectingthepolishingrateoftheCMPslurryareanalyzed,andsomeoptimizationstrategiesareproposedtoimprovethepolishingrate. Introduction: CMPisaprocessthatcombineschemicalreactionsandmechanicalpolishingtoflattenandplanarizethesurfaceofasubstrate.TheCMPslurryisacriticalfactorintheCMPprocess.Itiscomposedofabrasiveparticles,oxidizers,andotherchemicaladditives,anditplaysakeyroleinthepolishingrateandpolishingselectivity. ThepolishingratereferstotheamountofmaterialremovedperunittimeduringtheCMPprocess.Thepolishingratehasasignificantimpactontheyieldandthroughputofthesemiconductormanufacturingprocess.Therefore,itisessentialtoanalyzethefactorsaffectingthepolishingrateandproposesomeoptimizationstrategiestoimprovethepolishingrate. FactorsAffectingCMPPolishingRate: 1.AbrasiveParticleSize:ThesizedistributionoftheabrasiveparticlesintheCMPslurryhasasignificantimpactonthepolishingrate.Largerabrasiveparticlesremovematerialfasterthansmallerparticles.However,largerparticlescancausemorescratchesandincreasethesurfaceroughness.Therefore,theselectionofabrasiveparticlesisatradeoffbetweenthepolishingrateandsurfacequality. 2.Oxidizers:Oxidizers,suchashydrogenperoxide,areaddedtotheCMPslurrytooxidizethesurfaceofthesubstrateandenhancethepolishingrate.Theconcentrationoftheoxidizerhasasignificantimpactonthepolishingrate.Higherconcentrationsofoxidizerscanenhancethepolishingrate,buttheycanalsocausedefectsonthesurfaceofthesubstrate. 3.pH:ThepHoftheCMPslurryaffectsthechemicalreactionsthatoccurduringtheCMPprocess.ThepHcanaffectthestabilityoftheabrasiveparticlesandtheoxidizers,anditcanalsoaffectthesurfacechargeofthesubstrate.TheoptimalpHfortheCMPprocesscanvarydependingonthesubstratematerialandtheCMPslurrycomposition. 4.Temperature:ThetemperatureoftheCMPslurrycanaffectthechemicalreactionsandth

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