1晶体二极管.docx

晶体二极管
上课时间：第课时
教学目的：
1．了解半导体的基本知识：本征半导体、掺杂半导体；掌握PN结的基本特性。
2．理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。
3．了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。
教学重点和难点：
半导体二极管的伏安特性
PN结的单向导电特性。
教学过程
导入：电子是一门本专业的一门专业课，今天先来认识这门课中常用的一个元件——二极管。
新授：二极管
（一）晶体二极管的单向导电特性
1．晶体二极管
(1)外形
如图所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。

(2)图形、文字符号
如图所示，晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表示负极。V为晶体二极管的文字符号。
2．晶体二极管的单向导电性
(1)正极电位＞负极电位，二极管导通；

(2)正极电位＜负极电位，二极管截止。
即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。
[例1]图所示电路中，当开关S闭合后，H1、H2两个指示灯，哪一个可能发光？
解由电路图可知，开关S闭合后，只有二极管V1正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H1指示灯发光。

半导体的两种载流子
（二）PN结
二极管由半导体材料制成。
1．半导体
导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge)半导体。
半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种：

载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子。如图所示。
2．本征半导体
不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。
本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。
3．杂质半导体
为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。
根据掺杂的物质不同，可分两种：
(1)P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体，如P型硅。其中，多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

PN结

(2)N型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。
将P型半导体和N型半导体使用特殊工艺连在一起，形成PN结。
4．PN结
N型和P型半导体之间的特殊薄层叫做PN结。
PN结是各种半导体器件的核心。
P区接电源正极，N区接电源负极，PN结导通；反之，PN结截止。
晶体二极管之所以具有单向导电性，其原因是内部具有PN结。其正、负极对应于PN结的P型和N型半导体。
小结1半导体的基本知识
2本征半导体、掺杂半导体；掌握PN结的基本特性
作业课后练习第一题
教学反思：

测试二极管伏安特性电路
（三）二极管的伏安特性
1．定义
二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。
2．测试电路：如图所示。
3．伏安特性曲线：如图所示。
4．特点
(1)正向特性
①正向电压VF小于门坎电压VT时，二极管V截止，正向电流IF=0；

二极管伏安特性曲线
其中，门槛电压
②VFVT时，V导通，IF急剧增大。导通后V两端电压基本恒定：
结论：正偏时电阻小，具有非线性。
(2)反向特性
反向电压VRVRM(反向击穿电压)时，反向电流IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。
VRVRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压VRM称为反向击穿电压。
结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
（四）二极管的简单测试
用万用表检测二极管。

图万用表检测二极管
1．判别正负极性
万用表测试条件：R100或R1k；
将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。
2．判别好坏
万用表测试条件：R1k。
(1)若正反向电阻均为零，二极管短路；
(2)若正反向电阻非常大，二极管开路。
(3)若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常。
（五）二极管的分类、型号和参数
1．分类
(1)按材料分：硅管、锗管；
(2)按PN结面积：点接触型(电流小，高频应用)、面接触型(电流大，用于整流)；
(3)按用途：如图所示，

二极管图形符号
例如利用单向导电性把交流电变成直流电的整流二极管；利用反向击穿特性进行稳压的稳压二极管；利用反向偏压改变PN结电容量的变容二极管；利用磷化镓把电能转变成光能的发光二极管；将光信号转变为电信号的光电二极管。
2．型号举例如下
整流二极管——2CZ82B
稳压二极管——2CW50
变容二极管——2AC1等等。
3．主要参数
(1)普通整流二极管
①最大整流电流IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。
②最高反向工作电压VRM：二极管允许承受的反向工