模电 半导体器件练习有答案.docx

二极管和三极管练习题
1、N型半导体中的多数载流子是(A)，而P型半导体中的多数载流子是(B)。
A.自由电子B.空穴
C.正离子D.负离子

2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的(A)，要得到N型半导体，则需要掺入少量的(C)。
A.三价元素B.四价元素
C.五价元素D.六价元素

3、杂质半导体中多数载流子浓度(B)。
A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关
C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关

4、PN结正偏是指(B)。
A.N区电位高于P区 B.P区电位高于N区
C.与外加电压无关 D.P区和N区电位相等

5、在常温下，硅二极管的开启电压约为(C)V。
A.0.1B.0.7
C.0.5D.0.2

6、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分(C)，反向特性曲线(B)。
A.上移B.下移
C.左移D.右移

7、理想二极管模型相当于(A)。
A.一个理想开关B.一个恒压源
C.一个动态电阻D.一条斜线

8、理想二极管构成的电路如图所示，则（C）。
A．V截止U0＝－10V
B．V截止U0＝－3V
C．V导通U0＝－10V
D．V导通U0＝－6V

9、由理想二极管构成的电路如图所示，
电压UAB=(B)。
A.-3V
B.-12V
C.0V
D.-15V
10、理想二极管构成的电路如图，则(D)。
A.V截止U0=-4V
B.V导通U0=+4V
C.V截止U0=+8V
D.V导通U0=+12V

11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，
则ao两端的电压为（C）。
A．－3V
B．0V
C．1V
D．4V

12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，
则UAB为（C）伏。
A．－12V
B．15V
C．0V
D．3V

13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，
电路中的电压UAB=（C）。
A.-12V
B.-3V
C.-15V
D.3V

14、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是（A）。

A.vO的b列B.vO的c列
C.vO的a列D.vO的d列

15、图示电路中，二极管导通时压降为0.7V，
若UA=0V,UB=3V,则UO为（B）。
A.5V
B.0.7V
C.3.7V
D.0V

16、二极管正偏时应重点关注（A），反偏时应重点关注（A）。
A.导通电流和耗散功率，最大反向电压
B.结电容，最高工作频率
C.最高工作频率，导通电流和耗散功率
D.最高工作频率，最大反向电压

17、对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是(B)。
A.最大整流电流大，最高工作频率高
B.最大整流电流小，最高工作频率高
C.最大整流电流大，最高工作频率低
D.最大整流电流小，最高工作频率低

18、两只稳压值分别为6V和9V硅稳压管并联，可得到的稳压值是(A)。
A.6V，0.7VB.0.7V，0.7V
C.9V，0.7VD.6V，9V

19、稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为6.3V，
正向导通电压为0.7V，其输出电压Uo为（B）。
A.0.7VB.7VC.6.7VD.1.4V

20、电路如图所示，设DZ1的稳定电压为5V，DZ2的稳定
电压为7V，两管正向压降均为0V，若输入Ui为8V，
则输出U0的值为（A）。
A.5V
B.7V
C.12V
D.2V

21、图示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定
电压为6V，正向压降均为0.7V，则输出电压UO为(A)。
A.2VB.14V
C.6VD.8V

22、下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是(B)。

23、稳压管稳压电路如图所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，
且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为(D)。
A.6VB.0
C.7VD.1V

24、在下图所示的电路中，已知稳压管DZ1的稳定电压VZ1=5V，DZ2的稳定电压VZ2=12V，则输出电压V0为（B）。
A0.7VB5VC12VD20V

25、发光二极管正常工作时处于(A)状态，光电二极管正常工作时应处于(B)状态。
A.正偏B.反偏C.反向击穿D.任意

26、晶体管是一种(C)的器件。
A.电流控制电压B.电压控制电压
C.电流控制电流D.电压控制电流

27、晶体管的(C)。
A.发射区的掺杂浓度小于集电区
B.基区很薄，掺杂浓度较大
C.基区与集电区的接触面积较大
D.发射极与集电极可以互换

28、工作在放大区的某晶体管，如果测得晶体管IB=30uA时IC=2.4mA，而IB=40uA时IC=3mA，则该管的交流电流放大系数为(B)。
A.100B.60C.80D.75

9、