功率模块IGBT失效机理与寿命预测研究综述.docx
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功率模块IGBT失效机理与寿命预测研究综述随着电力电子技术的不断发展,功率模块IGBT由于其高效、高频、高稳定性、高使用寿命等优点,已广泛应用于电力、工业和航空航天等领域。但是,IGBT的失效机理始终是人们关注的焦点,其失效对电力系统和设备的稳定性和可靠性都会产生一定的影响,因此对其失效机理及寿命预测进行深入研究具有重要意义。IGBT失效机理主要有热失效和电压失效两种。热失效是指在IGBT工作过程中由于高电流和高温度引起的热应力或热膨胀,导致晶体管损伤和失效。电压失效主要是指在IGBT正反向电压或断口电压
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IGBT功率模块封装失效机理及监测方法综述摘要:随着IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块在电力电子领域的广泛应用,其封装失效问题也日益引起人们的关注。本论文综述了IGBT功率模块封装失效的机理以及常用的监测方法。首先介绍了IGBT功率模块的结构和工作原理,然后详细阐述了封装失效的主要机理,包括热应力、热循环、湿度和电压应力等。接着介绍了常见的封装失效现象,如漏电流、接触电阻升高和封装层剥落等。最后,综述了常见的监测方法,包括热敏电阻、漏电流监测以及红外热像仪等。本论文旨在为IGBT功率模块封装失效的预防
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IGBT失效机理分析.pdf
IGBT及其子器件的几种失效模式摘要:本文通过案例和实验,概述了四种IGBT及其子器件的失效模式:MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。关键词:栅击穿阈值电压漂移积累损伤硅熔融1、引言IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和双极的特有失效模式,还有混合型特有的失效模式。MOS是静电极敏感器件,因此,IGBT也是静电极敏感型器件,其子器件还应包