光敏聚酰亚胺光刻胶及光刻工艺的研究.docx
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光敏聚酰亚胺光刻胶及光刻工艺的研究.docx
光敏聚酰亚胺光刻胶及光刻工艺的研究光敏聚酰亚胺光刻胶及光刻工艺的研究摘要:光刻技术是微电子制造中必不可少的一项技术,而光敏聚酰亚胺(PSPI)光刻胶是在该领域具有广泛应用的一种光刻胶材料。本文介绍了PSPI光刻胶的基本概念、结构和性能,并详细探讨了光刻工艺中PSPI光刻胶的制备、表征和应用情况。关键词:光敏聚酰亚胺光刻胶;光刻技术;制备;表征;应用一、光敏聚酰亚胺光刻胶的基本概念PSPI光刻胶是一种在微电子制造中广泛使用的光刻胶材料。它由聚酰亚胺(PI)基础树脂、光敏剂、溶剂和其它助剂组成。PSPI光刻胶
聚酰亚胺光刻胶研究进展.docx
聚酰亚胺光刻胶研究进展一、概述聚酰亚胺光刻胶,作为一种新型的高性能材料,近年来在微电子、光电子等领域的应用日益广泛,其研究与发展也取得了显著的进展。聚酰亚胺光刻胶以其优异的光致变形性能和加工工艺适应性,为微电子制造中的高精度、高效率加工提供了有力的支持。聚酰亚胺光刻胶的研究涉及材料科学、化学、物理等多个学科领域,其制备工艺、性能优化以及应用领域拓展等方面都是当前研究的热点。随着科技的不断发展,聚酰亚胺光刻胶的性能也在不断提升,其应用领域也在逐步扩大。聚酰亚胺光刻胶的研究与发展仍面临一些挑战,如生产成本高、
正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺.pdf
本发明涉及光刻材料技术领域,特别是涉及一种正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺。本发明通过选用聚酰胺作为原料,并在其芳环上修饰羟基,以调整聚酰胺在光刻胶溶剂中的溶解性,且可以提供与交联剂反应的位点。聚酰胺树脂与交联剂的反应产物溶解性下降,被固化于基材表面形成胶膜;光刻过程中,曝光部分的光酸发生剂产生光酸,使得架桥解离,再次变成可以被碱性显影液洗去的聚酰胺和交联剂,从而使未曝光部分的图案得以保留。由于聚酰胺与交联剂形成的架桥作用力较弱,即使是较弱的光酸产生剂也能适用于本发明的方案,从而拓宽了光刻胶成品
后段工艺干法去除光刻胶研究.docx
后段工艺干法去除光刻胶研究一、引言光刻胶是微电子工业领域中不可或缺的材料,它可被应用于集成电路制造、MEMS制造、光子学等。但是,当光刻胶在微电子加工中完成其任务后,需要对其进行去除。在早期的微电子生产过程中,湿法去除是最常用的方法。但是随着微电子工艺的进步、器件的发展以及对环境保护的重视,干法去除逐渐被广泛接受。本文将介绍光刻胶干法去除的概述和主要技术,以及目前该领域的研究工作,并重点介绍了光化学法、氧/氮气气氛下等离子体法和气体光化学法等三种干法去除技术。二、光刻胶干法去除的概述干法去除是一种无液体介
光刻胶及光刻工艺流程.doc
目录光刻胶的定义及其作用光刻胶的成分光刻胶的主要技术参数光刻胶的分类光刻胶的主要应用领域光刻工艺流程定义:光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂,它是一种对光敏感的有机化合物,它受紫外光曝光后,在显影液中的溶解度会发生变化。作用:a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中;b、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。光刻胶的定义及其作用光刻胶的成分树脂:光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质,是用来将其它材料聚合在一起的粘合剂。光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。