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S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及特性研究
随着信息技术的迅速发展，光电导材料的需求越来越高，而非晶硅光电导薄膜凭借其优异的光电导性能和高效的制备工艺，成为制备光电导器件的重要材料。本文主要研究了S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及其特性。
一、制备工艺
1.硅靶的处理
选用高纯度的硅片作为靶材，并在靶上刻蚀，使其表面光洁度达到要求。
2.溅射参数的优化
在溅射过程中，参数的优化对薄膜的质量至关重要。其中主要包括靶-底板距离、溅射电流密度、气氛等参数的调整。
3.退火处理
退火处理是制备非晶硅薄膜的重要步骤。通过控制温度、时间、气压等参数，使薄膜内部结构松散并恢复到亚稳态状态，从而提高薄膜的光电导特性。
二、特性研究
1.结构特性
通过透射电镜和X射线衍射对薄膜的结构进行了分析。结果表明，制备的非晶硅薄膜具有无定形结构，并且内部含有微小晶粒。
2.光电导特性
通过I-V特性曲线和阻光特性曲线来分析非晶硅薄膜的光电导特性。实验结果表明，非晶硅薄膜具有很好的光电导性能，而且随温度的升高呈现出正温度系数，这种特点使得它在温度敏感器件中具有重要的应用前景。
3.稳定性测试
研究了非晶硅薄膜在湿度变化及高温氧化环境下的稳定性。实验结果表明，该薄膜在稳定性方面表现出较好的性能。
总的来说，S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜是一种制备工艺简单、性能稳定、光电导性能优良的重要光电导材料，在温度敏感器件、光敏器件等方面具有广泛的应用潜力。