中国IGBT器件市场投资报告.pdf
岚风****55
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中国IGBT器件市场投资报告.pdf
2011-2015年中国IGBT(绝缘栅双极晶体管)市场投资发展研究报告内容简介:IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。面市初期IGBT主要应用在以电机、电源、电焊机等产品为
IGBT器件.pdf
本发明公开了一种IGBT器件包括:多个第一沟槽栅,包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层,第一栅极导电材料层连接到栅极。在版图结构上,各第一栅极沟槽平行排列。在至少一条第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构,包括:第二沟槽栅,第二沟槽栅包括填充于第二栅极沟槽中的第二栅介质层和第二栅极导电材料层。第二栅极沟槽和对应的第一栅极沟槽相交,第二和第一栅极沟槽相连通,第二和第一栅极导电材料层电连接;利用第二和第一栅极沟槽相交的特点,第二栅极沟槽的长度、间距和数量都独立于第一栅极沟槽,通过调节第
IGBT器件的研究与应用的开题报告.docx
IGBT器件的研究与应用的开题报告一、研究背景随着现代电力电子技术的不断发展,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)器件逐渐成为电力电子领域中的重要革新之一。IGBT器件在高功率控制中具有较高的效率和可靠性,广泛应用于交流和直流电力电子领域。与其他功率器件相比,IGBT器件具有更快的开关速度、更高的工作频率、更低的导通压降和更高的抗短路能力,因此适用于各种高速、精准控制的电力电子应用。二、研究目的本研究旨在探究IGBT器件的基本原理、结构与特性,分析其在电力电子控制中的优
IGBT器件培训.ppt
IGBT器件培训目录一、IGBT概述一、IGBT概述一、IGBT概述一、IGBT概述二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类二、IGBT分类三、IGBT主要电气参数和特性三、IGBT主要电气参数和特性三、IGBT主要电气参数和特性三、IGBT主要电气参数和特性三、IGBT主要电气参数和特性三、IGBT主要电气参数和特性三、IGBT主要
IGBT功率器件.pdf
本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种IGBT功率器件,包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区,所述元胞结构包括:n型外延层;位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽,所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度;位于所述n型外延层内的n型电荷存储区,每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区;所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层,所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极;位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区,所述p型体区内设有n型发射极区。