小功率调幅发射机设计辅导.ppt

小功率调幅发射机
理论设计辅导一、单元电路
1.LC三点式晶体三极管振荡器
2.缓冲隔离级
3.晶体三极管调幅电路
4.小信号谐振放大器（略）
5.匹配网络（略）
二、调幅发射机系统电路LC三点式
晶体三极管振荡器
LC振荡器的设计2、晶体管选择
从稳频的角度出发，应选。同时希望电流
放大系数大些，这既容易振荡，也便于减小晶体管和外来之耦
合。虽然不要求振荡器中的晶体管输出多大功率，但考虑到稳
频等因素，晶体管的额定功率也应该有足够的余量。
3.直流馈电线路的选择
为保证振荡器起振的振幅条件，起始工作点应设置在线性
放大区；从稳频出发，稳定状态应在截至区，而不应在饱和，
否则回路的有载品质因数将降低。所以，通常应将晶体管的静
态偏置点设置在小电流区，电路应采用自偏置。对于小功率晶
体管，集电极静态电流约为1～4mA。4．振荡回路元件选择
从稳频出发，振荡回路电容C应尽可能大，但C过大，不利于波段工
作；电感L也应尽可能大，但L大后，体积大，分布电容大，L过小，回路
的品质因数过小，因此应合理地选择回路地C、L。在短波范围，C一般取
几十至几百皮法，L一般取0.1至几十微亨。
5.反馈回路元件选择
由前述可知，为了保证振荡器有一定的稳定振幅以及容易起振，在静态
工作点通常应选择。

当静态工作点确定后，的值就一定，对于小功率管可近似为：

反馈系数的大小应在F=0.1～0.5范围选择。实际振荡电路
1、Clapp振荡器2、Seiler振荡电路

缓冲隔离级电路的设计电压放大倍数AV为

式中，gm——晶体管的跨导，一般情况下。所以，图2所示射极输出器具有输入阻抗高、输出阻抗低、电压放大倍数近似等于1的特点。晶体管的静态工作点应位于交流负载线的中点，一般取，ICQ=3～10mA.对于如图1所示电路，取VCEQ=6V，ICQ=4mA，若晶体管的电流放大倍数β=60，则RE1+RE2=VEQ/ICQ=1.5kΩ，取RE1=1kΩ的电阻，RE2=1kΩ的电位器。IRB≈10IBQ，IBQ=ICQ/β，

估算功率激励级的输入阻抗为335Ω，即射随器的负载电阻RL=335Ω，并可计算出射随器的输入电阻Ri，即
Ri=RB’//βRL’≈3.6kΩ输入电压Vi为为减小射随器对前级振荡器的影响，耦合电容C1不能太大，一般为数十皮法。C2为0.022μF左右。晶体三极管
调幅电路

AM信号的产生可以采用高电平调制和低电
平调制两种方式完成。目前，AM信号大都用于
无线电广播,多采用高电平调制方式。
高电平调制是在高频功率放大器中进行的。
通常分为基极调幅、集电极调幅以及集电极基极
(或发射极)组合调幅。P216
1.集电极调幅电路2.集电极调幅的波形（工作在过压区）3.基极调幅电路4.基极调幅的波形（工作在欠压区）5.集电极、发射极双重调幅电路
调制电压经变压器同时加到集电极和发射极，注意变压器的同名端，在调制电压正半周，虽然集电极电源电压降低，但基极偏压也随之变负，不致进入强过压区，在调制过程中也是保持在临界—弱过压状态工作，从而可以使调制特性得以改善。

6.集电极—发射极双重调制（具体电路）如果发射机的级数较少，主振器的输出直接用来推动未前级，则两级集电极调制可能影响到主振器的频率稳定度。这时往往采用集电极—发射极（基极）调制，典型的例子见下图。必须注意，B1次级两个绕组的相位不能接反，不然将引起正反馈，造成放大器自激振荡。如果接法正确，则加在发射极和集电极的调制电压是同相的，它们对集电极的电流控制作用相同。这样，可以提高调制效率（加深调制度）和减小非线性失真。由于被调管是在低电压电路状态下工作，所以要求所有的去耦元件和变压器的直流电阻都应尽可能小，以提高整机效率。应该说明，为便于散热，3DA76集电极也是接地的，但它对于载波频率来说，是共发射极电路；而对于调制频率来说，却又是共基极电路。调幅发射机系统
参考电路
振幅调制参考电路（一）电路改进方案振幅调制参考电路（二）振荡级、缓冲级和激励级振幅调制参考电路（二）功放级和振幅调制级振幅调制参考电路（二）（续前页）功放级和振幅调制级XFC1596集成平衡调制器