半导体加工工艺(复习整理).docx

半导体衬底
硅是目前半导体中用的最多的一种衬底材料
硅的性能：屈服强度7x109N/m2弹性模量1.9x1011N/m2密度2.3g/cm3热导率1.57Wcm-1°C-1热膨胀系数2.33x10-6°C-1电阻率(P)n-型1-50Ω.cm电阻率(Sb)n-型0.005-10Ω.cm电阻率(B)p-Si0.005-50Ω.cm少子寿命30-300μs氧5-25ppm碳1-5ppm缺陷<500cm-2直径Upto200mm重金属杂质<1ppb
硅的纯化SiO2+2CSi(冶金级）+2CO、Si+3HClSiHCl3+H2、2SiHCl3(蒸馏后的)+2H22Si(电子级)+6HCl
直拉法单晶生长（p19）：多晶硅放在坩埚中，加热到1420oC将硅熔化，将已知晶向的籽晶插入熔化硅中然后拔出。硅锭旋转速度20r/min坩埚旋转速度10r/min提升速度：1.4mm/min(100mm)掺杂P、B、Sb、As
芯片直径增大,均匀性问题越来越突出
区熔法晶体生长（p28）：主要用于制备高纯度硅或无氧硅。生长方法：多晶硅锭放置在一个单晶籽晶上，多晶硅锭由一个外部的射频线圈加热，使得硅锭局部熔化，随着线圈和熔融区的上移，单晶籽晶上就会往上生长单晶。特点：电阻率高、无杂质沾污、机械强度小，尺寸小。

二、热氧化
1、SiO2的基本特性：热SiO2是无定形的、良好的电绝缘材料、高击穿电场、稳定和可重复的Si/SiO2界面、硅表面的生长基本是保形的、杂质阻挡特性好、硅和SiO2的腐蚀选择特性好。
2、热氧化原理：反应方程：Si(固体)+O2(气体)-->SiO2
3、含Cl氧化：氧化过程中加入少量的HCl或TCE(三氯乙烯):减少金属沾污、改进Si/SiO2界面性能（P70）
4、氧化中消耗硅的厚度：1umSI被氧化——>2.17umSIO2
5、热氧化的影响因素：温度、气氛（干氧、水汽、HCl）、压力、晶向、掺杂
6、高压氧化：对给定的氧化速率，压力增加，温度可降低；温度不变的情况下，氧化时间可缩短
7、氧化层的缺陷：表面缺陷：斑点、白雾、发花、裂纹体内缺陷：针孔、氧化层错
8、氧化诱生堆垛层错：

三、扩散

掺杂
扩散
离子注入
扩散的基本原理
扩散方法
扩散层的主要参数及检测
离子注入的基本原理
离子注入设备
离子注入后的损伤与退火
主要用于结较深（≥0.3m)线条较粗（≥3m）
主要适用于浅结细线条图形
1、掺杂在半导体生产中的作用：形成PN结；形成电阻；形成欧姆接触；形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂；形成电桥作互连线
2、扩散的定义：在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂质分布，从而改变导电类型或杂质浓度。
3、填隙扩散机制：硅原子挤走杂质，杂质再填隙
4、替位式杂质又称慢扩散杂质，间隙式杂质又称快扩散杂质，工艺中作为掺杂一般选择慢扩散杂质，工艺容易控制
5、基区陷落效应(也叫发射区推进效应):现象：发射区下的基区推进深度较发射区外的基区推进深度大。产生原因：在扩散层中又掺入第二种高浓度的杂质，由于两种杂质原子与硅原子的晶格不匹配，造成晶格畸变从而使结面部份陷落改进措施：采用原子半径与硅原子半径相接近的杂质
6、扩散分布的测试分析(1)浓度的测量:四探针测量方块电阻;范德堡法；(2)结深的测量:磨球法染色

四、离子注入
1、离子注入的定义：先使待掺杂的原子或分子电离，再加速到一定的能量，使之注入到晶体中，然后经过退火使杂质激活
2、离子注入的优点：(1)精确控制剂量和深度:从1010到1017个/cm2,误差+/-2%之间;(2)低温:小于125℃;(3)掩膜材料多样:photoresist,oxide,poly-Si,metal;(4)表面要求低(5)横向均匀性好(<1%for8”wafer)
3、离子注入系统:离子源(BF3,AsH3,PH3);加速管;终端台(P98)
4、质量分析器:选择所需要的杂质离子，筛选掉其他的杂质离子(P99)
5、加速器:利用强电场使离子加速获得足够的能量能够穿跃整个系统并注入靶中(注入深度取决于加速管的电场能量)
6、靶室：接受注入离子并计算出注入剂量

I:束流强度A：硅片面积t:注入时间

7、库仑散射与离子能量损失机理(P103)
8、离子注入损伤与退火:退火的作用：(1)消除晶格损伤(2)激活杂质;退火的方法：(1)高温热退火：用高温炉把硅片加热至800-1000℃并保持30分钟。特点：方法简单，设备兼容，但高温长时间易导致杂质的再扩散。
9、注入损伤(P110):入射离子与晶格碰撞产生原子移位,形成损伤。热处理可以消除损伤和激活杂质。晶体中的缺陷：一次缺陷、二次缺陷(点缺陷重新组合并扩展形成的，如位错环)P1