Flash存储器的技术和发展.docx

湘潭大学论文

题目：关于Flash存储器的技术和发展

学院：材料与光电物理学院
专业：微电子学
学号：2010700518
姓名：李翼缚

完成日期：

目录

TOC\o"1-3"\h\z\uHYPERLINK\l"_Toc381019085"1引言 PAGEREF_Toc381019085\h4
HYPERLINK\l"_Toc381019086"2Flash存储器的基本工作原理 PAGEREF_Toc381019086\h4
HYPERLINK\l"_Toc381019087"3Flash存储器的编程机制 PAGEREF_Toc381019087\h5
HYPERLINK\l"_Toc381019088"3.1沟道热电子注入(CHE) PAGEREF_Toc381019088\h5
HYPERLINK\l"_Toc381019089"3.2F-N隧穿效应(F-NTunneling) PAGEREF_Toc381019089\h6
HYPERLINK\l"_Toc381019090"4Flash存储器的单元结构 PAGEREF_Toc381019090\h6
HYPERLINK\l"_Toc381019091"5Flash存储器的可靠性 PAGEREF_Toc381019091\h7
HYPERLINK\l"_Toc381019092"5.1CHE编程条件下的可靠性机制 PAGEREF_Toc381019092\h8
HYPERLINK\l"_Toc381019093"5.2隧道氧化层高场应力下的可靠性机制 PAGEREF_Toc381019093\h8
HYPERLINK\l"_Toc381019094"6Flash存储器的发展现状和未来趋势 PAGEREF_Toc381019094\h9
HYPERLINK\l"_Toc381019095"参考文献: PAGEREF_Toc381019095\h10


关于Flash存储器的技术和发展
摘要:Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。
关键词:半导体存储器;不挥发性存储器;Flash存储器;ETOX结构

AboutFlashMemoryTechnologyandItsDevelopment
Abstract:Asanewnon-volatilesemiconductormemoryintroducedbyMasuokain1984,flashmemoryhasanumberofadvantages,suchassimplestructure,highintegrationdensity,lowcost,andhighreliability,anditiswidelyusedinmobilephone,digitalcamera,PCBIOS,DVDplayer,andsoon.Itsevolution,programmingmechanism,cellstructure,arraystructure,reliabilityaredescribed,anditsdevelopingtrendinthefutureisdiscussed.
Keywords:Semiconductormemory;Flashmemory;Non-volatilememory;ETOX

1引言
随着微电子技术和计算机技术的迅速发展,我们正迈向一个信息社会。信息社会离不开信息的存贮。近半个世纪以来,人们不断地探索存贮新技术,形成了品种繁多的存储器家族,其中的半导体不挥发性存储器(Non-VolatileSemiconductorMemory)因其具有掉电仍能保持信息的特点而成为存储器家族的热门领域。
不挥发性存储器的发展经历了从ROM、PROM、EEPROM到Flash存储器的各个阶段。Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型不挥发性半导体存储器,它结合了以往EPROM结构简单、密度高和EEPROM在系统的电可擦除性的一些优点,实现了高密度、低成本和高可靠性。Flash存储器和传统存储器的最大区别在于它是按块(sector)擦除,按位编程,从而实现了快闪擦除的高速度。另外,块擦除还使单管单元的实现成为可能,从