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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103517785103517785A(43)申请公布日2014.01.15(21)申请号201180068526.8B24D5/12(2006.01)(22)申请日2011.03.29(30)优先权数据2011-0415732011.02.28JP(85)PCT国际申请进入国家阶段日2013.08.26(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2011/0577552011.03.29(87)PCT国际申请的公布数据WO2012/117571JA2012.09.07(71)申请人株式会社东京精密地址日本东京(72)发明人中村正人(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司11018代理人康泉王珍仙(51)Int.Cl.B24D3/02(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书16页说明书16页附图3页附图3页(54)发明名称切割用砂轮片(57)摘要本发明的切割用砂轮片为至少一层的层状,作为在结合部(2)中分散配置的填料,具有包含针状部从四面体的中心朝向各顶点向四方延伸的三维结构的结晶(4a)的填料(4)。三维结构的结晶(4a)由氧化锌构成,针状部(4aa)的长度为0.1μm~100μm的范围。CN103517785ACN103578ACN103517785A权利要求书1/1页1.一种切割用砂轮片,其为呈至少一层以上的层状的切割用砂轮片,具备:结合部;分散配置在所述结合部中的磨料;和分散配置在所述结合部中的填料,所述填料包含针状部从四面体的中心朝向各顶点向四方延伸的三维结晶结构的填料。2.根据权利要求1所述的切割用砂轮片,其中,所述填料除了所述三维结晶结构的填料之外,具有硬度比该三维结晶结构的填料高的粉末状的填料。3.根据权利要求1或2所述的切割用砂轮片,其中,所述三维结晶结构的填料的所述针状部的长度为0.1μm~100μm的范围。4.根据权利要求1~3中的任一项所述的切割用砂轮片,其中,所述三维结晶结构的填料由金属氧化物结晶结构体构成。5.根据权利要求4所述的切割用砂轮片,其中,所述金属氧化物结晶结构体的填料除了所述三维结晶结构的填料之外,具备形状与所述三维结晶结构不同的填料,所述三维结晶结构的填料和形状与所述三维结晶结构不同的填料的体积比为10:90~90:10的范围。6.根据权利要求1~5中的任一项所述的切割用砂轮片,其中,在所述结合部中混入有硅烷偶联剂。7.根据权利要求1~5中的任一项所述的切割用砂轮片,其中,在所述三维结晶结构的填料的表面涂布有硅烷偶联剂。8.根据权利要求5所述的切割用砂轮片,其中,在扣除磨料的所述结合部中,所述金属氧化物结晶结构体的填料的体积%被设定为1~40%。2CN103517785A说明书1/16页切割用砂轮片技术领域[0001]本发明涉及一种在半导体装置等的各种电子材料部件等的切割中使用的切割用砂轮片。[0002]本申请基于2011年2月28日在日本提交的日本专利申请第2011-041573号主张优先权,并在此援引其内容。背景技术[0003]作为由切割用砂轮片切割制造的电子材料部件,除了如半导体元件这样从半导体晶圆被切割分割后安装于引线框并被树脂模塑的部件之外,例如已知以下的部件。[0004](a)如被称为QFN(quadflatnon-leadedpackage,方形扁平无引脚封装)的部件这样,将多个元件一同安装于引线框上并统一将其模塑之后,切割成单片而制造的电子材料部件。[0005](b)如IrDA(InfraredDataAssociation,红外数据协会)标准的光传输模块(以下仅简称为IrDA)这样,具有在形成于玻璃环氧树脂制基体的通孔的内周面实施Ni、Au、Cu等电镀的基板并切割成单片的电子材料部件。[0006]在这种电子材料部件的切割中,例如QFN中切割在模塑树脂中隔开间隔而配置的Cu等延展性高的金属引线框,因此存在在切割时的薄刀砂轮的进给方向或旋转方向上容易产生该引线框等的金属毛刺的问题。[0007]作为抑制金属毛刺的产生的切割用砂轮片,分别在下述专利文献1中提出一种在固化树脂中添加晶须的切割用砂轮片,或者在专利文献2中提出一种在固化树脂中添加规定量的WC粉末的切割用砂轮片。[0008]专利文献1:日本特开平1-115574号公报[0009]专利文献2:日本特开2006-62009号公报[0010]可是,对于所述的在固化树脂中添加晶须的切割用砂轮片和添加WC粉末的切割用砂轮片来说,由于在固化树脂中添加的晶须等具有方向性而排列,因此相对于某一方向具有较强的耐磨损性,但相对于其他方向无法获得较强的耐磨损性,整体上无法获得良好的耐磨损性。[0011]尤其对于使用刮匀涂