(完整word版)模拟电子技术基础试卷及答案(期末)(word文档良心出品).doc

模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空（18分）
1．二极管最主要的特性是单向导电性。
2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为9V，经过电容滤波后为12V，二极管所承受的最大反向电压为14V。
3．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2，则输出电压，uO0；若uI1=100V，uI2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10Hz时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10kHz时，可选用高通滤波器；希望抑制50Hz的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。
5．若三级放大电路中Au1Au230dB，Au320dB，则其总电压增益为80dB，折合为104倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ0、静态时的电源功耗PDC=0。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为15V。

二、选择正确答案填空（20分）
0
iD/mA
-4
uGS/V
5
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（A）。
A．NPN型硅管B.NPN型锗管
C.PNP型硅管D.PNP型锗管
2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。
A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管
3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。
A．输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大
4.在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（D）。
V2
V1
减小C，减小RiB.减小C，增大Ri
C.增大C，减小RiD.增大C，增大Ri
5.如图所示复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复合后的约为（A）。
A．1500B.80C.50D.30
6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（D）。
基本共射放大电路B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器
+
uO
_
us
RB
Rs
+VCC
V
C
+
RC
Ri
O
t
uI
t
uo
4题图
7题图

O

8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是(C)。
a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真
9．稳压二极管稳压时，其工作在(C)，发光二极管发光时，其工作在(A)。
a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区
三、放大电路如下图所示，已知：VCC12V，RS10k，RB1120k，RB239k，RC3.9k，RE2.1k，RL3.9k，rbb’，电流放大系数50，电路中电容容量足够大，要求：
us
RB1
C2
+
RB2
RS
+VCC
+
RE
CE
RL
V
C1

_
+

_

RC
1．求静态值IBQ，ICQ和UCEQ(设UBEQ0.6V)；
2．画出放大电路的微变等效电路；
3．求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro。
4．去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au，输入电阻Ri。(12分)

解:
(1)

(3)

(4)

四、设图中A为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分)
Uo3
Uo1
Uo2
20k
10k
2V
(1)
A
+
+
8
2V
(2)
10k
20k
A
+
+
8
2V
1V
(3)
20k
10k
A
+
+
8
(4)
2V
3V
Uo4
20k
10k
10k
20k
A
+
+
8
(5)
2V
Uo5
20k
A
+
+
8
Uo6
(6)
2V
20k
A
+
+
8

U016VU026VU03VU0410VU052VU062V
+
－
+
－
RB
A
+
+
8
RL
+VCC
Rf
R1
RE
五、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．试求其闭环电压放大倍数Auf。（8分）
为电流串联负反馈

六、试用相