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MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备
随着半导体产业的快速发展，制备高纯度气体已成为很重要的一项技术。高纯氢气是MO-CVD（金属有机化学气相沉积）外延工艺中的重要材料，具有广泛的应用前景。因此，研究和开发高纯氢气的制备技术对于提高MO-CVD外延工艺的质量和效率具有重要作用。
一、MO-CVD外延工艺简介
MO-CVD是一种成膜技术，广泛应用于半导体、光电、显示等领域。它采用金属有机化学气相沉积的原理，通过将金属有机物和载气共同加热，得到所需成分的气体，然后在衬底上形成薄膜。在MO-CVD外延工艺中，高纯度氢气是必不可少的一种材料。它主要用于源气的稀释以及氢气气氛的高温退火等工艺过程。
二、高纯氢气的制备技术
1.氢气自然气法
利用天然气进行提氢是一种常见的氢气制备方法，该技术的原理是将天然气和水蒸气连续反应，然后通过一系列处理步骤，如压缩、冷却、净化等步骤得到高纯度氢气。气体从初级压缩机进入气化器，液体制冷剂使得气体冷却，再通过分离器得到纯净的氢气，环保、节能、节约。
2.氢气纯化技术
氢气在大气中的含量很少，且常伴有多种杂质。因此，需要采用各种纯化技术提高氢气的纯度。包括物理吸附、化学吸附和膜分离等技术。其中，物理吸附法和化学吸附法技术成熟，广泛应用于氢气纯化中。膜分离技术因为具有高选择性和高通量的优势，也越来越被重视。
三、高纯氢气在MO-CVD中的应用
1.源气的稀释
在MO-CVD外延工艺中，源气的浓度是非常重要的参数。过高的浓度会导致沉积物的结晶度下降，过低的浓度则会导致沉积速率和沉积质量下降。因此，在制备过程中需要供应高纯度的氢气稀释源气，以保证源气的浓度符合要求。
2.高温退火的热处理气氛
在MO-CVD外延工艺中，高温退火是必不可少的一道工序，利用氢气进行高温退火可使晶体中断的键重新结合，造成结晶的成长而形成非常薄的薄膜。这一过程需要高纯度的氢气，以防止杂质污染和气氛变化。
四、结论
高纯度氢气是MO-CVD外延工艺中不可或缺的材料。目前，氢气提纯技术已经非常成熟，可以通过物理吸附法、化学吸附法和膜分离等方法得到高纯度的氢气。制备好的高纯氢气可以被广泛应用于源气的稀释和高温退火的热处理气氛中，从而提高制备薄膜质量和助力半导体产业的快速发展。