SiCSiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究.docx
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SiCSiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究.docx
SiCSiO_2核壳结构纳米线制备及光学性质研究概述随着纳米技术的不断发展,纳米材料逐渐成为研究热点,对材料的性质和应用提出了新的要求。其中SiO2核壳结构纳米线因其独特的结构和优异的性能,受到了广泛的关注。本论文主要介绍SiO2核壳结构纳米线的制备方法和光学性质研究。制备方法制备SiO2核壳结构纳米线需要先制备SiO2核,然后通过化学方法在核表面加上一层SiC壳。制备SiO2核的方法有多种,如水热法、溶胶凝胶法、一步法等。其中一步法是一种简单、快速、易于控制的方法,在该方法中,硅源和碳源先混合,然后通过
GaAsAlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究.docx
GaAsAlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究近年来,核-壳结构纳米线作为一种新型的纳米材料,在科技领域中引起了广泛的关注。这种材料的制备方法简单,生长条件易控制,而且具有很多优异的物理和化学性能,例如优异的光电性能、机械性能、热学性能等,成为了材料科学和纳米技术领域的研究热点。核-壳结构纳米线是由一个核(core)和一个外层壳(shell)组成的一种结构,核和壳材料在物理和化学性质上具有不同的特点。目前,最为常见的核壳结构是在InAs/GaAs材料系统中实现的。然而,在研究中发现,InAs/GaAs材料
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法.pdf
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中,并放入管式炉的中心加热;在加热过程中,通入惰性气体作为保护气,最终在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行,所制备的Si/NiSi核壳结构纳米线阵列具有极低的电阻率,在基于Si纳米线器件领域具有巨大的潜在应用价值。
核壳结构量子点的厚壳层快速制备及其光学性质的任务书.docx
核壳结构量子点的厚壳层快速制备及其光学性质的任务书一、任务背景在新能源和生物医学领域中,较小的半导体量子点作为材料具有很大的应用前景。核壳结构量子点(CQDs)因其独特的光学和电学性质而吸引了广泛的关注,具有潜在的应用于光电子学、信息通讯、传感器和生物医学等领域。CQDs的外壳厚度对其性能有着很大的影响,厚壳层CQDs具有较高的稳定性和量子产率,但制备过程较为繁琐且时间成本相对较高。因此,本任务旨在设计一种快速制备厚壳层CQDs的方法,并研究其光学性质。二、预期目标1.设计一种快速制备CQDs的方法,并制
CdS核壳量子点的制备与光学性质研究的任务书.docx
硫醇配位CdSe/CdS核壳量子点的制备与光学性质研究的任务书任务书一、任务背景量子点是一种新型的半导体材料,具有线性电光效应、高亮度发光、窄线宽等独特性质,被广泛应用于生物成像、荧光传感、电致变色、LED等领域。CdSe/CdS核壳结构的量子点由于其优秀的热学稳定性和更强的荧光强度,因而被认为是目前应用最广泛的核壳结构量子点,并得到了广泛关注。硫醇是一种常用的表面修饰分子,可以有效地提高量子点的光稳定性、荧光亮度、量子效率等性能。因此研究硫醇配位CdSe/CdS核壳量子点的制备与光学性质对现代化学和材料