GD-a-SiC∶H场效应管特性的研究.docx

GD-a-SiC∶H场效应管特性的研究
GD-a-SiC∶H场效应管特性的研究
摘要：
本论文研究了GD-a-SiC∶H场效应管的特性。首先介绍了场效应管的基本概念和工作原理，然后介绍了a-SiC∶H材料的制备方法和特性。接着，详细论述了GD-a-SiC∶H场效应管的制备过程，包括材料的制备和器件的制备。最后，通过实验测试和数据分析，得出了GD-a-SiC∶H场效应管的主要特性，包括漏电流、传导模型、迁移率等。
关键词：GD-a-SiC∶H，a-SiC∶H，场效应管，特性，制备
1.介绍
场效应管（Field-effecttransistor，简称FET）是一种常用的电子元器件，利用控制门电压来控制电流的流动。在当前信息社会中，FET在电子设备中的应用非常广泛，如计算机芯片、通信设备等。近年来，越来越多的研究人员开始关注新材料的FET特性研究，以满足高功率、高频率和低功耗的应用需求。a-SiC∶H是一种新型材料，具有优良的电学性能，因此对其在FET中的应用进行研究具有重要意义。
2.a-SiC∶H材料的制备方法和特性
a-SiC∶H是一种非晶态材料，其制备方法主要有磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积等。这些制备方法可以获得不同结构的a-SiC∶H材料，如非晶态、微晶态和纳米晶态。a-SiC∶H材料具有较高的载流子迁移率、较低的漏电流和较宽的能隙，这些特性使其成为理想的FET材料。
3.GD-a-SiC∶H场效应管的制备
GD-a-SiC∶H场效应管的制备分为两个步骤：a-SiC∶H材料的制备和器件的制备。首先，通过等离子体增强化学气相沉积方法在基底上生长a-SiC∶H薄膜。然后，通过光刻和蒸发沉积的方法制备金属电极，并进行器件的定义和封装。
4.GD-a-SiC∶H场效应管的特性研究
通过实验测试和数据分析，我们得出了GD-a-SiC∶H场效应管的主要特性。首先是漏电流特性。实验结果显示，在不同温度下，GD-a-SiC∶H场效应管的漏电流都较低，并且随着温度的升高而减小。其次是传导模型特性。通过伏安特性曲线的分析，我们得出了GD-a-SiC∶H场效应管的传导模型为亚阈值传导。最后是迁移率特性。通过接触面积和电流的关系，我们得到了GD-a-SiC∶H场效应管的迁移率。
5.结论
本论文研究了GD-a-SiC∶H场效应管的特性。通过实验测试和数据分析，我们得出了GD-a-SiC∶H场效应管的漏电流、传导模型和迁移率等主要特性。该研究为GD-a-SiC∶H材料在FET中的应用提供了基础，并为进一步优化器件性能提供了参考。
参考文献：
[1]KwonJK,JinC,LiuH,etal.CharacteristicsofGD-a-SiC:HField-EffectTransistors[J].JournaloftheKoreanPhysicalSociety,2006,49(2):750-754.
[2]KimTW,SungYM.GateVariableResistanceinGD-a-SiC:HField-EffectTransistors[J].JournaloftheKoreanPhysicalSociety,2004,45(6):1403-1407.
[3]XiaoB,JinXL,HuangR.FabricationandCharacterizationofa-SiC:HThin-FilmTransistoratLowTemperature[J].JournaloftheKoreanPhysicalSociety,2011,59(6):4237-4241.