GaSb原生受主缺陷对施主掺杂激活及其器件应用的影响的任务书.docx

GaSb原生受主缺陷对施主掺杂激活及其器件应用的影响的任务书
任务书
一、选题背景和目的
GaSb是一种III-V族化合物半导体材料，由于其较大的能隙和高迁移率等特点，被广泛应用于红外光电器件领域。然而，GaSb材料中存在着很多受主缺陷，如AsGa-VS、SGa-VD等，这些缺陷对施主掺杂激活及器件性能产生了一定的影响。因此，研究GaSb原生受主缺陷对施主掺杂激活及其器件应用的影响具有重要的理论和应用意义。
本次研究的目的是通过对GaSb材料中原生受主缺陷的研究，探索这些缺陷对施主掺杂激活的影响机理，并进一步研究在器件应用中如何克服这种影响，以提高器件性能。
二、研究内容和方法
1.研究GaSb原生受主缺陷的形成机理和性质。通过第一性原理计算和实验手段，研究GaSb材料中原生受主缺陷的形成机理，探索缺陷的结构和性质。
2.研究受主掺杂激活的影响机理。通过理论计算和实验方法，研究GaSb材料中原生受主缺陷对施主掺杂激活的影响机理，包括缺陷的电子结构、能级位置和缺陷能级的位置等。
3.研究如何克服受主缺陷对施主掺杂激活的影响。通过控制材料制备条件、掺杂参数和材料处理方法等，研究如何克服GaSb材料中受主缺陷对施主掺杂激活的影响，以提高器件性能。
4.研究受主缺陷对GaSb器件性能的影响。通过制备器件样品，测量器件的电学性质和光学性质，研究GaSb材料中受主缺陷对器件性能的影响，包括载流子浓度、电子迁移率和器件效率等。
三、研究意义和预期结果
本研究的结果对于深入理解GaSb材料中的原生受主缺陷的形成、性质和对施主掺杂激活的影响具有重要意义。同时，本研究还将为克服这种影响、提高GaSb器件性能提供重要的理论和实验依据。
预期结果包括：确定GaSb材料中原生受主缺陷的形成机理和性质；研究原生受主缺陷对施主掺杂激活的影响机理；提出克服原生受主缺陷影响的方法和策略；探究受主缺陷对GaSb器件性能的影响，并尝试改进器件性能的措施。
四、研究进度安排
第一年：收集文献，深入了解GaSb材料和相关原生受主缺陷的研究进展，确定研究思路和方法。
第二年：进行第一性原理计算，研究GaSb材料中原生受主缺陷的形成机理和性质，获得相关结果。
第三年：进行第二性原理计算和实验研究，研究受主掺杂激活的影响机理，并探索克服受主缺陷影响的方法。
第四年：制备器件样品，进行电学性质和光学性质的测量，研究受主缺陷对器件性能的影响，并尝试改进器件性能的措施。
五、参考文献
[1]ZhangJ,LiH,ZengH.NativedefectsinGaSbandtheirinfluencesonphotovoltaicdevices.JournalofAppliedPhysics,2015,117(7):075701.
[2]ValenteyA,MalashevichA,SottileM,etal.ImpactofnativedefectsontheradiativerecombinationlifetimeinGaSb.AppliedPhysicsLetters,2019,114(15):151907.
[3]LuoD,ClementJJ,PanW.AnalysisofnativedefectdominanceinGaSbdiodes.JournalofCrystalGrowth,2011,325(1):23-28.