Fe-N共掺ZnO电子结构理论的研究.docx
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Fe-N共掺ZnO电子结构理论的研究.docx
Fe-N共掺ZnO电子结构理论的研究针对现代磁性材料的需求,掺杂铁和氮的ZnO被认为是一种有潜力的功能氧化物材料。Fe-N共掺杂ZnO(Fe-N/ZnO)在近年来受到了广泛的关注。Fe和N原子的掺杂对ZnO电子结构和磁性质的调节有着重要的影响。本文将从电子结构理论的角度探讨Fe-N/ZnO的性质和应用。Fe、N离子掺杂ZnO薄膜后,材料的磁性质得到了很大的提高。新的材料表现出了磁性,而其母体ZnO仅表现出典型的半导体特性,表明Fe和N原子的掺杂导致了新的电子状态和能级的出现。为了理解这些性质,必须对Fe-
CeN共掺ZnO的电子结构和光学性质的理论研究.docx
CeN共掺ZnO的电子结构和光学性质的理论研究标题:CeN共掺ZnO的电子结构和光学性质的理论研究摘要:CeN共掺ZnO材料因其特殊的电子结构和光学性质在光电器件领域具有广泛的应用潜力。本论文通过理论计算方法研究了CeN共掺ZnO材料的电子结构和光学性质,包括能带结构、密度态和吸收谱等。研究结果表明,CeN共掺对ZnO的电子性质和光学性质均有显著影响,这对于材料的应用于光电器件具有重要意义。一、引言随着光电子器件技术的快速发展,对新型材料的需求也越来越迫切。CeN共掺ZnO被发现具有良好的电化学性能和光物
Co,Sn共掺ZnO薄膜结构与光致发光的研究.docx
Co,Sn共掺ZnO薄膜结构与光致发光的研究一、简介氧化锡(SnO_2)是一种广泛使用的半导体材料,具有优良的光电性能和化学稳定性。它具有很高的传导性和透明性,因此可以用于太阳能电池、发光二极管(LED)和透明导电膜等领域。氧化铟已成为未来化学电池的有前途的阳极材料。掺杂材料是增加半导体器件功能的有效方法之一。掺SnO_2,ZnO可以提高晶体以及氧化物间的相互作用,增强半导体薄膜的性能。本文旨在研究Co,Sn共掺ZnO薄膜结构与光致发光的关系。二、实验方法使用射线衍射(XRD)分析仪研究样品的晶体结构。扫
Eu、Mg共掺ZnO薄膜的微观结构与光致发光性能研究.docx
Eu、Mg共掺ZnO薄膜的微观结构与光致发光性能研究摘要:在本研究中,我们研究了Eu,Mg共掺ZnO薄膜的微观结构和光致发光性能。使用溶胶-凝胶方法制备了不同掺杂浓度的薄膜,并使用扫描电子显微镜,透射电子显微镜和荧光光谱仪来表征它们的微观结构和发光等性质。结果表明,Eu和Mg的共掺提高了ZnO的导电性,并产生了额外的氧空位,导致Eu离子在ZnO晶格中的位置发生变化,使其改变发射光谱的形状和峰值位置。此外,研究还表明,样品的荧光强度和寿命随着掺杂浓度的增加而增加,这可能是由于Luminescencequen
Mn与N共掺ZnO铁磁稳定性及其电子结构的第一性原理研究.docx
Mn与N共掺ZnO铁磁稳定性及其电子结构的第一性原理研究摘要本文采用第一性原理计算方法研究了Mn与N共掺ZnO的铁磁稳定性及其电子结构。结果表明,当Mn和N分别掺入ZnO晶体时,晶格参数的变化很小,且铁磁性得到了保留,表明了这种共掺杂的铁磁性质是稳定的。此外,我们还发现,Mn和N掺入后,导带和价带的分布发生了变化,这一变化可以解释为Mn和N掺入后带隙产生了改变。引言过去几十年,人们对于铁磁半导体材料的研究已经取得了巨大的进展。铁磁半导体材料具有良好的磁性和半导体性质,可以在磁性存储、磁电转换等方面发挥巨大