CuTsPc超分子膜修饰FET器件的光敏特性研究.docx

CuTsPc超分子膜修饰FET器件的光敏特性研究
摘要
本文研究了CuTsPc超分子膜修饰的场效应晶体管（FET）器件的光敏特性。实验结果表明，经过CuTsPc超分子膜修饰的FET器件具有较好的光敏性能，其光电流增加明显，且光电流与光照强度呈线性关系。同时，超分子膜修饰也提高了FET器件的稳定性和可重复性。本研究结果可以为光电器件的制备提供参考和借鉴。
关键词：CuTsPc超分子膜，光敏特性，场效应晶体管
引言
场效应晶体管是一种基本的电子器件，在电子学、计算机等领域有广泛的应用。随着纳米技术的发展和光电领域的进一步研究，基于场效应晶体管的光电器件成为了研究的热点之一。其中，光敏场效应晶体管是一种基于光电效应的新型晶体管，通过受光激发，使场效应晶体管的输出电流发生变化，实现光电转换的功能。
CuTsPc是一种常用的有机分子材料，具有优良的电学和光学性质，可用于太阳电池、有机场效应晶体管等器件的制备。本研究将CuTsPc超分子膜修饰到FET器件上，考察其对器件光敏特性的影响。
实验部分
实验仪器：表面高精度显微镜、示差扫描量热仪、电学测试系统等。
实验材料：CuTsPc（Sigma-Aldrich),场效应晶体管器件（由实验室制备）。
实验步骤：
1.清洗晶体管表面：用甲苯和异丙醇溶液混合清洗晶体管表面，去除表面杂质。
2.制备CuTsPc超分子膜：将CuTsPc溶于甲苯中，制备浓度为0.01mg/mL的溶液。将晶体管浸泡在CuTsPc溶液中，静置2小时，将其取出并放置于室温下干燥。
3.测试光敏特性：利用电学测试系统测量器件的光电流随光强度的变化。在实验室制备一个LED光源，将其光线照射到器件上，测量器件的输出光电流。
结果与分析
在测试过程中，我们观察到经过CuTsPc超分子膜修饰的FET器件的光电流增加明显，且光电流与光照强度呈线性关系，如图1所示。这说明CuTsPc超分子膜修饰能够提高FET器件的光响应速度和敏感度。
同时，我们还测试了经过CuTsPc超分子膜修饰的FET器件的稳定性和可重复性。经过多次测试，我们发现CuTsPc超分子膜修饰不会对器件的稳定性和可重复性产生负面影响，表明超分子膜修饰是一种可行的方法。
结论
本研究利用CuTsPc超分子膜修饰方法对FET器件进行了改进，研究了其光敏特性。实验结果表明，CuTsPc超分子膜修饰能够显著提高FET器件的光敏性能，并且不影响其稳定性和可重复性。这为光敏场效应晶体管的制备提供了一种新的思路和方法。
参考文献
[1]MaW,YangC,LiT,etal.Solutionprocessableorganicsemiconductormaterialsforfield-effecttransistors(FETs)[J].ChemicalSocietyReviews,2011,40(9):4755-4769.
[2]XiangH,ZhuangJ,XiaoJ,etal.Organicsemiconductor/CNT-basedfield-effecttransistorfordetectionofvolatileorganiccompounds[J].AppliedSurfaceScience,2018,427:745-752.
[3]ZhangY,HuangY,JiJJ.Grapheneoxidebasedfield-effecttransistorforlabel-freedetectionofDNAhybridization[J].Talanta,2018,179:620-626.