功率器件IGBT测试方法的探究.docx
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功率器件IGBT测试方法的探究标题:功率器件IGBT测试方法的探究引言:功率器件是现代电力电子技术中的重要组成部分,而功率晶体管(IGBT)则是目前应用最广泛的一种功率器件。IGBT具有高承受电压、低导通压降、高可靠性等优势,可用于电力电子、工控系统、变频器等领域。因此,对IGBT进行有效的测试是确保其正常工作和可靠性的关键。本文将探讨IGBT测试方法的研究和应用,以提高IGBT的质量和可靠性。一、IGBT的基本原理与特性1.IGBT的基本原理IGBT是一种由MOSFET和双极型晶体管BipolarJun
IGBT功率器件.pdf
本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种IGBT功率器件,包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区,所述元胞结构包括:n型外延层;位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽,所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度;位于所述n型外延层内的n型电荷存储区,每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区;所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层,所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极;位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区,所述p型体区内设有n型发射极区。
IGBT器件动态测试用夹具及方法.pdf
本发明涉及一种IGBT器件动态测试用夹具及方法,涉及IGBT器件技术领域,用于降低测试电路中杂散电感。本发明的IGBT器件动态测试用夹具,包括第一夹具、第二夹具和支撑架,通过将第一夹具和第二夹具分别设置为关于第一IGBT器件和第二IGBT器件对称且具有层叠结构,从而利用电磁耦合原理降低测试电路中杂散电感,有助于提升器件动态参数测试的可靠性。
沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件.pdf
本申请公开了一种沟槽型IGBT器件的制作方法,涉及半导体制造领域。该沟槽型IGBT器件的制作方法包括在IGBT终端区对应的衬底中形成场限环;在IGBT终端区对应的衬底中形成场氧;在终端区对应的衬底中形成沟槽场板,沟槽场板与IGBT有源区之间为场限环;在衬底表面形成介质层;在衬底的正面制作接触孔及正面金属层;解决了目前小元胞尺寸沟槽型IGBT器件的制作过程中接触孔和沟槽栅容易出现对准偏差的问题;达到了优化接触孔和沟槽栅的对准效果,提升小元胞尺寸沟槽型IGBT器件的性能的效果。
IGBT器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种IGBT器件及其制备方法,其中方法包括:在层间绝缘介质层中形成一刻蚀窗口;去除剩余的层间绝缘介质层和第一厚度的隔离氧化层;去除部分衬底、部分多晶硅层;湿法刻蚀去除第二厚度的隔离氧化层,此时形成第二尖峰和第三尖峰;干法刻蚀去除第二尖峰和第三尖峰。本申请通过刻蚀衬底和多晶硅层以及刻蚀隔离氧化层,再干法刻蚀去除残留的第二尖峰和第三尖峰,可以很好地处理沟槽型发射极结构的顶端存在的衬底‑隔离氧化层‑多晶硅层三种物质及其形成的两个界面,使得最终的所述沟槽型发射极结构的顶端平坦,即,使得所述刻蚀窗口下的衬