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基于副边谐振技术的单端反激式变换器EMI分析 基于副边谐振技术的单端反激式变换器EMI分析 摘要 单端反激式变换器是一种常见的电源转换器拓扑结构,其具有体积小、成本低、效率高等优点。然而,在实际应用中,单端反激式变换器会产生电磁干扰(EMI)问题,对周围电子设备的正常工作产生不利影响。本文主要研究基于副边谐振技术的单端反激式变换器的EMI分析方法。首先,介绍了单端反激式变换器的基本工作原理和副边谐振技术的原理及其在EMI抑制中的应用。然后,详细分析了单端反激式变换器中各个电路元件对EMI产生的影响,并提出了相应的EMI抑制策略。最后,通过实验验证了副边谐振技术在单端反激式变换器中的EMI抑制效果,并对其进行了性能评估和分析。 关键词:单端反激式变换器;副边谐振技术;电磁干扰(EMI);抑制策略;性能评估 1.引言 随着电子设备的广泛应用,EMI问题越来越受到人们的关注。EMI会对电子设备的正常工作产生不利影响,导致系统性能下降、故障和甚至损坏。因此,EMI抑制技术的研究对于保证电子设备的正常工作至关重要。单端反激式变换器作为一种常见的电源转换器拓扑结构,具有体积小、成本低、效率高的优点,被广泛应用于各种电子设备中。然而,由于其工作原理的特殊性,单端反激式变换器容易产生较强的EMI。 2.单端反激式变换器的基本工作原理 单端反激式变换器的基本工作原理如图1所示。输入电压Vin经过整流电路整流得到直流电压Vr,经过电容滤波后得到平均直流电压Vdc。通过开关管S周期性开关,使得能量能够传送到输出端,并通过输出电感Lo传输给负载。在开关时间Ton,开关管S导通,电感Lo储能;在开关时间Toff,开关管S关闭,电感Lo释放能量给负载。其中,副边谐振电感Lf和电容Cf构成的副边谐振回路可以起到有效地减小EMI干扰的作用。 3.副边谐振技术原理及其在EMI抑制中的应用 副边谐振技术是一种常用的EMI抑制技术。其基本原理是在变换器副边谐振频率范围内,在辅助回路中产生谐振电流。这样可以形成一个低阻抗回路,将EMI能量引导到非关键的电路上,减少对关键电路的干扰。在单端反激式变换器中,副边谐振电感Lf和电容Cf构成了副边谐振回路,起到了抑制EMI的作用。 4.单端反激式变换器中的EMI问题及抑制策略 在单端反激式变换器中,主要的EMI问题包括共模噪声和差模噪声。其中,共模噪声是两个输出电压之间的噪声,差模噪声是与地之间的噪声。为了解决这些问题,可以采取以下EMI抑制策略: (1)提高电路的布局设计,减少电源回路和信号回路的共模和差模电流的耦合; (2)采用合适的滤波器,过滤掉高频噪声,限制EMI干扰的传播; (3)使用信号线的屏蔽技术,减少信号线上的EMI干扰; (4)优化开关方式和电压波形,减小开关瞬态过程中的EMI干扰。 5.副边谐振技术在单端反激式变换器中的实验验证和性能评估 为了验证副边谐振技术在单端反激式变换器中的EMI抑制效果,进行了实验验证。通过在单端反激式变换器中添加副边谐振回路,对比实验结果可以得出结论,副边谐振技术可以有效地抑制EMI干扰。同时,对副边谐振技术在EMI抑制中的性能进行了评估和分析,包括EMI抑制效果、频率响应、效率等指标。 6.结论 本文主要研究了基于副边谐振技术的单端反激式变换器的EMI分析方法。通过对单端反激式变换器的工作原理和副边谐振技术的分析,提出了EMI抑制策略。通过实验验证了副边谐振技术在单端反激式变换器中的EMI抑制效果,并对其进行了性能评估和分析。实验结果表明,副边谐振技术可以显著减小单端反激式变换器的EMI干扰,提高系统的可靠性和稳定性。 参考文献: [1]刘洪光,杨鹏.EMI电磁干扰与控制技术[M].电子工业出版社,2007. [2]曹钢云,孙继军,吴庆贵.单端反激式变换器在电磁兼容性中面临的问题及解决措施[J].现代电子技术,2018,41(23):116-119. [3]张效军,李珊珊,张健.单端反激式变换器设计及其EMI干扰的抑制[J].电气自动化,2019(01):78-81. [4]张博,章声学.副边谐振技术在变频调光电源中的应用研究[J].电源技术,2017(05):1-3.