X波段100W GaN功率放大器的设计及应用.docx
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SiC衬底X波段GaN MMIC的研究.docx
SiC衬底X波段GaNMMIC的研究随着5G通信的普及,对高功率、高可靠性、高频率性能的要求不断提高,研究和开发新的器件和技术已经成为了研究热点。其中,SiC衬底X波段GaNMMIC技术的研究受到了广泛关注。首先,需要了解什么是SiC和GaN。SiC是碳化硅(SiliconCarbide)的缩写,是一种具有高温、高功率、高频率性能的新型半导体材料,被广泛应用于功率器件和微电子器件中。而GaN则是氮化镓(GalliumNitride)的缩写,也是一种新型半导体材料,具有高功率密度、高电子迁移率、宽直接能隙等