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铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究 铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究 摘要: 铜掺杂氧化锌薄膜具有阻变特性,该研究旨在探究铜掺杂浓度对氧化锌薄膜阻变特性的影响。通过化学沉积法制备不同浓度的铜掺杂氧化锌薄膜,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电阻仪等对薄膜进行物性测试。研究结果表明,随着铜掺杂浓度的增加,氧化锌薄膜的晶体结构发生变化,表面形貌发生明显变化。在一定范围内,铜掺杂可以显著提高氧化锌薄膜的阻变特性。该研究为铜掺杂氧化锌薄膜的应用提供了理论依据。 关键词:铜掺杂;氧化锌;薄膜;阻变特性;化学沉积法;晶体结构 引言: 随着科技的发展,电子设备的小型化和高性能化要求越来越高,这就对新型材料的开发提出了新的要求。在这方面,铜掺杂氧化锌薄膜引起了研究人员的广泛关注。铜掺杂氧化锌薄膜具有优异的阻变特性,可以被广泛应用于阻变存储器、传感器等领域。因此,深入研究铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性对于提高其应用性能具有重要意义。 实验方法: 本实验采用化学沉积法制备不同浓度的铜掺杂氧化锌薄膜。首先,将适量的氧化锌溶液和铜醋酸溶液混合,控制溶液pH值为9。然后,在玻璃基片上沉积薄膜,分别得到不同浓度的铜掺杂氧化锌薄膜。制备好的薄膜经过热处理后,使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电阻仪等仪器进行物性测试。 结果与讨论: 通过X射线衍射仪观察,可以发现随着铜掺杂浓度的增加,氧化锌薄膜的晶体结构发生变化。在低浓度下,氧化锌薄膜呈现出优异的衍射峰,表明晶体结构较为完整。随着铜掺杂浓度的增加,晶体结构逐渐变得不规则,晶体的有序性降低。 使用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,可以发现铜掺杂氧化锌薄膜的表面形貌发生明显变化。在低浓度下,薄膜表面光滑,均匀。而在高浓度下,表面出现了颗粒状的结构,晶粒大小不均匀。 通过电阻仪测试薄膜的电阻变化,可以发现随着铜掺杂浓度的增加,氧化锌薄膜的阻变特性得到显著改善。在一定的铜掺杂浓度范围内,氧化锌薄膜的电阻随着施加的电压变化较大,具有较大的阻变效应。 结论: 通过以上实验结果与讨论,可以得出以下结论:铜掺杂氧化锌薄膜的阻变特性受铜掺杂浓度的影响,随着铜掺杂浓度的增加,薄膜的晶体结构发生变化,表面形貌发生明显变化,阻变特性得到显著改善。这为铜掺杂氧化锌薄膜的应用提供了理论依据。 参考文献: [1]FuY,DingX,LiJ,etal.InfluenceofCudopingonthemicrostructureandelectricalpropertiesofZnOfilmspreparedbymagnetronsputtering[J].MaterialsResearchBulletin,2014,52(2):99-105. [2]HoWC,HsiehCK,LinHH,etal.Fabricationandcharacterizationofthermallystablen-ZnO:Cu/p-GaNheterojunctionlight-emittingdiodes[J].JournalofAppliedPhysics,2014,116(16):163105. [3]LiS,WuY,GongJ,etal.InfluencesofCu-dopedZnOthinfilmsasactivechannellayersonthecharacteristicsofoxidethin-filmtransistors[J].MaterialsScience&EngineeringB-SolidStateMaterialsforAdvancedTechnology,2016,206:111-114.