2024-2025学年黑龙江省大庆市红岗区铁人中学高一化学下册期末质量检测模拟试题含解析.docx

2024-2025学年黑龙江省大庆市红岗区铁人中学高一化学下册期末质量检测模拟试题含解析

注意事项:
1．答题前，考生先将自己的姓名、准考证号码填写清楚，将条形码准确粘贴在条形码区域内。
2．答题时请按要求用笔。
3．请按照题号顺序在答题卡各题目的答题区域内作答，超出答题区域书写的答案无效；在草稿纸、试卷上答题无效。
4．作图可先使用铅笔画出，确定后必须用黑色字迹的签字笔描黑。
5．保持卡面清洁，不要折暴、不要弄破、弄皱，不准使用涂改液、修正带、刮纸刀。

一、单选题（本题共12小题，每题2分，共24分）
1、下列实验现象与对应化学方程式都正确的是（）
A．向Na2SiO3溶液中加入稀盐酸，边加边振荡，有硅酸胶体产生；Na2SiO3+2HCl=H2SiO3+2NaCl
B．氢气在氯气中安静的燃烧，发出淡蓝色火焰，瓶口出现白雾；H2+Cl22HCl
C．FeSO4溶液中加入NaOH溶液时，生成的白色絮状沉淀迅速变为灰绿色，最后变成红褐色；2Fe(OH)2+O2+H2O=2Fe(OH)3
D．钠投入水中，浮在水面熔成小球，在水面快速移动，得到的溶液显碱性；2Na+2H2O=2NaOH+H2↑
2、下列关于硅单质及其化合物的说法中错误的是（）
A．陶瓷、玻璃、水泥、水晶饰品等，都是硅酸盐产品
B．常温下，单质硅的性质稳定，与氧气、氯气、硝酸、硫酸等都很难发生反应
C．水玻璃可以作为粘合剂、木材防腐剂，高纯硅可用于制造太阳能电池，高纯二氧化硅可用于制造光导纤维
D．某硅酸盐的化学式为KAlSi3O8，可用K2O·Al2O3·6SiO2表示
3、实验室欲用18mol/L的浓硫酸配制500mL3mol/L的稀硫酸,下列说法正确的是()
A．应用量筒量取83.30mL的浓硫酸
B．在烧杯中溶解后,应立即转移至容量瓶中
C．加水定容时,若俯视刻度线,会使所配溶液浓度偏低
D．若未洗涤烧杯内壁并将洗涤液转移至容量瓶中,会使所配溶液浓度偏低
4、下列叙述正确的是
A．1molN2的质量为28g/mol
B．标准状况下，1mol任何物质的体积均为22.4L
C．Cl2的摩尔质量为71g
D．常温常压下，32gSO2的物质的量为0.5mol
5、下列反应的离子方程式书写正确的是()
A．钠和冷水反应：
B．铁跟稀硫酸反应：
C．氧化镁与稀盐酸反应：
D．金属铝溶于氢氧化钠溶液：
6、下列有关化学用语表达正确的是
A．35Cl−和37Cl−离子结构示意图均可以表示为：
B．HClO的结构式：H−Cl−O
C．HF的电子式：
D．质子数为92、中子数为146的U原子：
7、a、b、c、d是HCl、BaCl2、AgNO3、Na2CO3四种溶液中的一种，现将它们两两混合，现象如下表所示：
反应物a+ba+cb+cc+db+d现象白色沉淀白色沉淀白色沉淀白色沉淀无色气体由上述现象可推知a、b、c、d依次是
A．HCl、BaCl2、AgNO3、Na2CO3 B．AgNO3、HCl、Na2CO3、BaCl2
C．BaCl2、Na2CO3、AgNO3、HCl D．AgNO3、HCl、BaCl2、Na2CO3
8、向含有amolNa2CO3的溶液中通入bmolHCl，下列说法不正确的是()
A．当b>2a时，发生的离子反应为：CO32-+2H+=H2O+CO2↑
B．当b<a时，发生的离子反应为：CO32-+H+=HCO3-
C．当4a=3b时，发生的离子反应为：3CO32-+4H+=2HCO3-+H2O+CO2↑
D．当a<b<2a时，反应生成的HCO3-与CO2的物质的量之比为(b-a)：(2b-a)
9、摩尔质量最大的化合物是）
A．Cl2 B．NaOH C．HCl D．CO
10、实验室贮存下列物质的溶液时，必须用棕色瓶的是()
①浓硝酸②浓硫酸③浓盐酸④硝酸银溶液
A．①④ B．②③ C．①③ D．②④
11、下列离子检验的方法正确的是
A．向某溶液中加硝酸银溶液生成白色沉淀，说明原溶液中有Cl－
B．向某溶液中加BaCl2溶液生成白色沉淀，说明原溶液中有SO42-
C．向某溶液中加NaOH溶液生成蓝色沉淀，说明原溶液中有Cu2＋
D．向某溶液中加稀硫酸生成白色沉淀，说明原溶液中有CO32-
12、下列对SO2和SO3的叙述正确的是()
A．通常条件下，SO2是无色、无味的气体，易溶于水
B．都是酸性氧化物，其水溶液都是强酸
C．都可使品红溶液褪色，加热时红色又能再现
D．都能跟碱液反应
二、填空题（本题共4小题，每题5分，共20分）
13、电子工业常用30%的FeCl3溶液腐蚀敷在绝缘板上的铜箔，制造印刷电路板。
（1）检验溶液中Fe3+存在的试剂是________，证明Fe3+存在的现象是________。
（2）写出FeCl3溶液与金属铜发生反应的离